[发明专利]一种基于Li、Cu共掺NiOx 在审
申请号: | 202210639167.7 | 申请日: | 2022-06-08 |
公开(公告)号: | CN115000311A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 刘向阳;赵晓伟;牛晨;马兆华 | 申请(专利权)人: | 河南大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 张丽 |
地址: | 475001*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 li cu nio base sub | ||
本申请公开了一种基于Li、Cu共掺NiOx反式钙钛矿电池及其制备方法,所述太阳能电池的制备过程如下:(1)在洁净ITO电极上沉积Li、Cu共掺NiOx空穴传输层;(2)在Li、Cu共掺NiOx空穴传输层上制备尿素界面修饰层;(3)在尿素界面修饰层上沉积二嵌段共聚物[(PEO)150‑(PPO)30]修饰的Cs0.1‑xRbxMA0.63FA0.27Pb(I1‑yBry)3钙钛矿光敏层,x的取值范围为0.02~0.06,y的取值范围为0.05~0.30;(4)在钙钛矿光敏层上制备PCBM/BCP电子传输层;(5)在PCBM/BCP电子传输层上蒸镀Ag层对电极,即得。
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于Li、Cu共掺NiOx反式钙钛矿电池及其制备方法。
背景技术
太阳能电池是大规模利用太阳能转化为电能的重要技术基础,发展太阳能电池是缓解经济发展与能源及环境之间矛盾的“绿色”新技术。目前,太阳能电池研究呈现出以下几个新方向:1. 开发与晶硅电池匹配的顶电池或底电池,构建理论效率超过33%的叠层电池;2. 开发柔性、轻质、多彩等新型电池,实现与晶硅电池互补,满足不同市场应用需求;3.探索新的光敏材料(简单、无毒、低成本、高丰度等)、制备新型太阳能电池。对于光伏领域研究新热点,有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池在器件性能方面取得了显著提升,且已超过半导体化合物太阳能电池(CdTe、CuInGaSn等)最高效率。钙钛矿材料具有简单、廉价、溶液可加工特性,表明该薄膜太阳能电池技术可替代现有光伏技术、实现低成本开发。提高钙钛矿太阳能电池稳定性是目前研究的关键技术,采用无机材料制备的反式钙钛矿太阳能电池具有优越的稳定性,对于促进钙钛矿电池商业化具有重要的研究价值。
目前,钙钛矿太阳能电池多为基于TiO2或SnO2的正式结构,其中空穴传输层多为掺杂的Spiro-OMeTAD,商业化掺杂的Spiro-OMeTAD不但价格昂贵,而且还具有寄生吸收特性,其所包含的可移动离子掺杂剂可加速钙钛矿快速降解;此外,Spiro-OMeTAD在空气环境中很容易降解,必将显著影响电池器件的运行稳定性,不利于器件商业化开发。本技术采用低温溶液法制备Li、Cu共掺NiOx空穴传输层,在空穴传输层上沉积尿素,钝化界面缺陷态;将二嵌段共聚物[(PEO)150-(PPO)30]引入钙钛矿层,钝化晶界缺陷、改善钙钛矿薄膜稳定性,制备成反式结构钙钛矿电池器件。该电池技术不但取得了较高器件性能、改善了器件湿/热稳定性,而且基于低温全溶液过程可实现扩展制备,有利于钙钛矿太阳能电池商业化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于Li、Cu共掺NiOx反式钙钛矿电池及其制备方法,不仅可以完全替代Spiro-OMeTAD空穴传输层,降低制备成本,还可以提升器件对湿、热及光照度稳定性。该电池器件具有原料储备丰富、制备方法简单、稳定性优越、应用范围广、安全环保等特点;还可基于全低温溶液过程实现量化制备,为反式结构钙钛矿太阳能电池商业化探索了实验条件和关键技术,具有非常良好的应用前景。
基于上述目的,本发明采取如下技术方案:
一种基于Li、Cu共掺NiOx反式钙钛矿电池的制备方法,包括如下步骤(Li、Cu共掺NiOx空穴传输层和尿素界面修饰层在空气环境下完成,其余制备过程均在手套箱中完成):
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南大学,未经河南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210639167.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择