[发明专利]一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210640920.4 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115206800A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 杨大宝;刘波;邢东;赵向阳;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L23/373;H01L23/367;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 刘少卿 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基太 赫兹 倍频 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：
在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层；其中，所述砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；
在所述砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。
2.如权利要求1所述的一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，包括：
通过物理气相沉积的方法，将砷化镓单晶材料沉积在金刚石基片上，获得砷化镓多晶薄膜层。
3.如权利要求2所述的一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述通过物理气相沉积的方法，将砷化镓多晶材料沉积在金刚石基片上，获得砷化镓多晶薄膜层，包括：
将砷化镓单晶材料研磨成粉末，制备砷化镓材料靶材；
通过物理气相沉积的方法，将砷化镓材料靶材沉积在金刚石基片上，获得砷化镓多晶薄膜层。
4.如权利要求3所述的一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积的方法为磁控溅射。
5.如权利要求1所述的一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法，其特征在于，在所述砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层之后，还包括：
通过背面减薄工艺减小金刚石基片的厚度。
6.如权利要求5所述的一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层，包括：
在所述砷化镓多晶薄膜层上生长重掺杂砷化镓层；
在所述重掺杂砷化镓层上生长低掺杂砷化镓层；
在所述低掺杂砷化镓层上制备肖特基二极管的器件层。
7.如权利要求6所述的一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述重掺杂砷化镓层的掺杂浓度范围为1×1018cm-3至9×1018cm-3；所述低掺杂砷化镓层的掺杂浓度范围为1×1016cm-3至5×1017cm-3。
8.如权利要求7所述的一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述重掺杂砷化镓层和低掺杂砷化镓层的生长方法为分子束外延或金属有机气相沉淀。
9.一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管，其特征在于，通过如权利要求1至8任一项所述的砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法获得。
10.一种砷化镓基太赫兹倍频单片集成电路，其特征在于，所述单片集成电路包括肖特基二极管，所述肖特基二极管通过如权利要求1至8中任一项所述的砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的制备方法获得。
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