[发明专利]一种提高正型光刻胶厚膜分辨率的光刻方法

权利要求书

1.一种提高正型光刻胶厚膜分辨率的光刻方法，为采用多次曝光、显影结合添加阻溶剂的工艺方法，得到具有高分辨率的厚膜图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述光刻方法，包括如下步骤：

1)匀胶：在晶圆上涂覆正型光刻胶液，匀胶，前烘，得到正型光刻胶厚膜；

2)曝光：采用1/n膜厚的曝光工艺进行曝光，其中n代表重复曝光次数；

3)显影：采用1/n膜厚的显影工艺进行显影，得到第一次曝光显影后的光刻图形，其中n代表重复曝光次数；

4)喷阻溶剂：在合适的转速下，在晶圆表面喷洒一层阻溶剂，烘烤；

5)在该晶圆上继续重复上述曝光、显影、喷阻溶剂(最后一次曝光显影不需要喷阻溶剂)步骤，直至得到最后的光刻图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤1)中，所述正型光刻胶液为正型感光性聚苯并噁唑树脂组合物胶液和/或正型感光性聚酰亚胺脂组合物胶液；

所述正型光刻胶液的粘度为5000cP以上；

所述匀胶的转速为1000rpm*30s-3000rpm*30s；

所述前烘的温度为110-120℃，时间为3-5min；

所得厚膜的厚度在20μm以上。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述曝光的曝光能量为300mj-2000mj/cm²。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的方法，其特征在于：所述显影的操作为：保持晶圆转速200-500rpm，喷洒显影液5-13s，静止显影时间50-300s；之后喷洒去离子水去除残留物，使用转速2000-3000rpm将晶圆甩干；

所述显影液为2.38％TMAH碱性显影液。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的方法，其特征在于：步骤4)的操作为：将转速设定为200-500rpm，用含有阻溶剂的喷嘴从晶圆的一侧开始喷洒到晶圆的另一侧，喷洒时间5-10s，随后将该晶圆烘烤，即可；

所述烘烤的温度为110-120℃，所述烘烤的时间为20-50s。

7.根据权利要求2-6中任一项所述的方法，其特征在于：所述阻溶剂通过将重氮萘醌磺酸酯类化合物溶解于有机溶剂中制得；

其中，所述重氮萘醌磺酸酯类化合物具体可为：2,3,4-三羟基二苯甲酮1,2-二叠氮基萘醌-5-磺酸酯、2,3,4,4'-四羟基二苯甲酮1,2-二叠氮基萘醌-5-磺酸酯、2,3,4-三羟基二苯甲酮-2,1,4-重氮萘醌磺酸酯、2,3,4,4'-四羟基二苯甲酮-2,1,4-重氮萘醌磺酸酯中的一种或几种的混合物；

所述阻溶剂中，重氮萘醌磺酸酯类化合物的质量浓度为30％-90％。

8.由权利要求1-7中任一项所述方法制得的光刻胶厚膜。

9.根据权利要求8所述的光刻胶厚膜，其特征在于：所述光刻胶厚膜的留膜率＞75％，图形分辨率≤10μm。