[发明专利]一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法

权利要求书

1.一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对背面带有氧化硅的晶圆上，采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，蚀刻掉晶圆上的一层氮化硅沉积层，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成侧壁，最后再对晶圆上方位于侧壁之间的位置进行蚀刻，使得晶圆上方形成沟槽；

S2、对步骤S1中得到的晶圆进行氧化，使得晶圆背面和沟槽内壁的形成一层闸极氧化硅层，然后再对晶圆背面进行蚀刻，蚀刻掉晶圆背面和沟槽中的闸极氧化硅层，最后再向晶圆的背面采用离子植入法进行离子植入；

S3、对步骤S2中得到的晶圆沟槽的内壁单独进行氧化，以在沟内壁形成致密的闸极氧化硅层；

S4、对于步骤S3中得到的晶圆，采用化学气相沉积法在晶圆背面和沟槽内部形成一层多晶硅，然后再采用CMP工艺使晶圆背面的多晶硅顶部平坦化；

S5、对步骤S4中得到的晶圆背面进行蚀刻，蚀刻掉位于晶圆背面的多晶硅，然后再采用化学气相沉积法在晶圆背面沉积一层氮氧化硅；

S6、对于步骤S5中得到的晶圆，采用化学气相沉积法在氮氧化硅上方沉积一层氧化硅层，然后在采用CMP工艺使氧化硅层的顶部平坦化；

S7、对于步骤S6中得到的晶圆，在氧化硅层上方进行蚀刻，蚀刻到氮氧化硅表面，然后再依次蚀刻掉氧化硅层开口下方的氮氧化硅、氧化硅和晶圆顶部的部分，在晶圆顶部形成接触孔；

S8、在步骤S7中晶圆顶部所形成的接触孔底部采用离子植入法进行离子植入，然后再向接触孔中填充金属。

2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，其特征在于，在所述步骤S2和步骤S3中，对晶圆的氧化和沟槽内壁的氧化均采用氧化炉进行氧化。

3.根据权利要求1所述的一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，其特征在于，在所述步骤S2中，对晶圆背面进行蚀刻，蚀刻掉晶圆背面的闸极氧化硅层时，晶圆背面的氧化硅顶部也会被蚀刻掉一部分。

4.根据权利要求1所述的一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，其特征在于，在所述步骤S8中，在晶圆背面氧化硅层上方的位置进行蚀刻时，需要对晶圆进行显影，其步骤为首先在晶圆的表面涂布一层光阻，再进行光照曝光，在晶圆表面形成部分曝光，部分未进行曝光的图案，再经过显影，使得未曝光的区域被光阻遮盖。

5.根据权利要求4所述的一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，其特征在于，在所述步骤S1、S4和S8中，步骤S1中形成的侧壁位于金属和多晶硅之间，以避免金属和多晶硅之间产生导电。

6.根据权利要求1所述的一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，其特征在于，在所述步骤S4和S5中，采用化学气相沉积法所沉积的多晶硅为含有杂质的多晶硅，以在晶圆的沟槽位置处形成晶体管。

7.根据权利要求1所述的一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，其特征在于，在所述步骤S8中，在接触孔底部所植入的离子和会在所述步骤S2中植入的离子在晶圆背面形成电极。

8.根据权利要求1所述的一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，其特征在于，所述步骤S1还可以先对晶圆的背面通过离子植入法进行离子植入，然后再采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，蚀刻掉晶圆上的一层氮化硅沉积层，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成侧壁，最后再对晶圆上方位于侧壁之间的位置进行蚀刻，使得晶圆上方形成沟槽；

所述步骤上S2还可以先对步骤S1中得到的晶圆进行氧化，使得晶圆背面和沟槽内壁的形成一层闸极氧化硅层，然后再对晶圆背面进行蚀刻，蚀刻掉晶圆背面和沟槽中的闸极氧化硅层。