[发明专利]一种发光二极管及发光二极管封装件

说明书

本发明提供了一种发光二极管及发光二极管封装件，其中，该发光二极管包括：衬底，以及设置在衬底上的发光结构层，发光结构层顺次包括N型层、有源层和P型层；N型层包括未被P型层和所述有源层覆盖的暴露区域，暴露区包括若干个分散的N台阶；反射电极，包括分散设置于所述P型层的上表面的复数个子反射电极；第一绝缘层，覆盖所述发光结构层并包括露出所述N台阶的第一开口和露出所述子反射电极的第二开口；第一互连电极，通过所述第一开口与所述N型层电性连接；第二互连电极，通过所述第二开口与所述反射电极电性连接，所述第一互连电极与所述第二互连电极绝缘设置；所述子反射电极的数量大于所述N台阶的数量。可以提高LED的出光效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及发光二极管封装件。

背景技术

发光二极管(LED，Light Emitting Diode)是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量实现发光，广泛应用在各种需要光源的领域。但由于LED的衬底层、电极阻挡层、反射层中的反射材料对光的吸收，导致LED的光取出效率较低。根据文献计算，LED中，只有4％的光可以出射，96％的光返回LED内部，经过全反射、材料吸收等最终转换成热。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供发光二极管及发光二极管封装件，以提高LED的出光效率。

第一方面，本发明实施例提供了发光二极管，包括：

衬底，以及设置在所述衬底上的发光结构层，所述发光结构层顺次包括N型层、有源层和P型层；所述N型层包括未被所述P型层和所述有源层覆盖的暴露区域，所述暴露区域包括若干个分散的N台阶；

反射电极，包括分散设置于所述P型层的上表面的复数个子反射电极；

第一绝缘层，覆盖所述发光结构层并包括露出所述N台阶的第一开口和露出所述子反射电极的第二开口；

第一互连电极，通过所述第一开口与所述N型层电性连接；

第二互连电极，通过所述第二开口与所述反射电极电性连接，所述第一互连电极与所述第二互连电极绝缘设置；

所述子反射电极的数量大于所述N台阶的数量。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述子反射电极为阵列设置的柱状结构；

优选为Ag柱结构。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述子反射电极包括Ag柱子层、第一高莫氏硬度金属子层、第一低莫氏硬度金属子层以及第二高莫氏硬度金属子层。

结合第一方面的第一种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述Ag柱子层的高度为1-2um。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，所述子反射层的半径为5um-30um，相邻两个子反射层的间距为20um-100um。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，所述第一绝缘层为DBR反射层；所述第二互连电极包括粘附层、金属反射层，所述反射电极、DBR反射层、第二互连电极对从有源层发出的光形成多重反射。

结合第一方面的第五种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，所述粘附层的材料包括：Ti、Cr、Ni中的一种或多种，厚度为

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中，所述发光二极管还包括分别与所述第一互连电极和所述第二互连电极电性连接的第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极电性绝缘。