[发明专利]通孔电阻测试结构与测试通孔电阻的方法

权利要求书

1.一种通孔电阻测试结构，其特征在于，包括：

N个通孔；

N+1层叠置的金属线，相邻两层所述金属线之间通过所述通孔连接，且相邻两层所述金属线之间连接有一个所述通孔；

N+3个测试焊垫，其中，两个所述测试焊垫分别连接在其中两层金属线各自长度方向的第一端，其余所述测试焊垫一一对应地与各所述金属线的长度方向的第二端、或者各所述金属线的宽度方向的第一端、或者各所述金属线的宽度方向的第二端连接，其中，N为大于或者等于2的整数。

2.根据权利要求1所述的通孔电阻测试结构，其特征在于，所述N+1层叠置的金属线包括位于外侧的第一层金属线和第N+1层金属线，所述第一层金属线长度方向的第一端和所述第N+1层金属线长度方向的第一端分别连接对应的所述测试焊垫，且该两个所述测试焊垫分别用于与电流测试仪电连接，其余所述测试焊垫用于与电位测试仪电连接。

3.根据权利要求1所述的通孔电阻测试结构，其特征在于，所述金属线的宽度大于或者等于0.5微米。

4.根据权利要求3所述的通孔电阻测试结构，其特征在于，所述金属线的长度大于或者等于20微米。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的通孔电阻测试结构，其特征在于，N+1层叠置的金属线平行排列。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的通孔电阻测试结构，其特征在于，各所述金属线和各所述通孔的材料均为铜。

7.一种采用权利要求1至6中任一项所述测试结构测试通孔电阻的方法，其特征在于，包括：

通过连接在金属线长度方向的第一端上的两个测试焊垫，测得流过各所述通孔的电流；

通过连接在第M层金属线长度方向的第二端、或者第M层金属线的宽度方向的第一端、或者第M层金属线的宽度方向的第二端的测试焊垫，测试第M层金属线上的第一电位；

通过连接在第M+1层金属线长度方向的第二端、或者第M+1层金属线的宽度方向的第一端、或者第M+1层金属线的宽度方向的第二端的测试焊垫，测试第M+1层金属线上的第二电位；

根据所述第一电位、所述第二电位和所述电流，得到第M个所述通孔的电阻，其中，1≤M≤N。

8.一种测试结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成包括N个通孔和N+1层金属线的半导体结构，其中，相邻两层所述金属线之间通过所述通孔连接，N为大于或者等于2的整数；

在所述半导体结构的非器件区形成N+3个测试焊垫，其中，两个所述测试焊垫分别连接在其中两层金属线各自长度方向的第一端，其余所述测试焊垫一一对应地与各所述金属线的长度方向的第二端、或者各所述金属线的宽度方向的第一端、或者各所述金属线的宽度方向的第二端连接。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：器件区和非器件区，权利要求1至6中任一项所述的通孔电阻测试结构中的通孔和金属线位于所述器件区，权利要求1至6中任一项所述的测试焊垫位于所述非器件区。

10.一种测试系统，其特征在于，包括：权利要求1至6中任一项所述的通孔电阻测试结构、电流测试仪和电位测试仪，所述电流测试仪用于测试流过各所述通孔的电流，所述电位测试仪用于测试各层金属线的电位，所述通孔电阻测试结构用于根据所述电流和所述电位确定所述通孔的电阻。