[发明专利]一种Micro LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种Micro LED芯片，其特征在于，所述芯片包括DBR反射层、外延结构、第一电流阻挡层、第二电流阻挡层、透明导电层、第一扩展电极、第二扩展电极、绝缘保护层、第一焊接电极和第二焊接电极；

所述外延结构设置于所述DBR反射层上；

所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层设置于所述外延结构上，并处于所述外延结构的两端；

所述透明导电层设置于所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层和位于所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层之间的所述外延结构上；

所述第一扩展电极和所述第二扩展电极间隔设置于所述透明导电层上；

所述绝缘保护层包覆由所述外延结构、所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层、所述透明导电层、所述第一扩展电极和所述第二扩展电极组成的结构的外表面，并与所述DBR反射层的未与所述外延结构相接触的上表面相接触；

所述绝缘保护层上预留有第一开口和第二开口；所述第一焊接电极设置于所述绝缘保护层上，并通过所述第一开口与所述第一扩展电极电连接；所述第二焊接电极设置于所述绝缘保护层上，并通过所述第二开口与所述外延结构电连接；

在所述DBR反射层的投影方向上，所述第一电流阻挡层、所述第一扩展电极和所述第一焊接电极相对应，所述第二电流阻挡层、所述第二扩展电极和所述第二焊接电极相对应。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述DBR反射层包括多层材料不同的膜；所述膜的材料为SiO₂、SiN、TiO₂、Ta₂O₅或MgF；所述DBR反射层的厚度为1.5-10μm。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述外延结构包括从下到上依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述第一半导体层和所述第二半导体层的电性相反。

4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层和所述绝缘保护层的材料均为绝缘透明材料，所述绝缘透明材料包括SiO₂、SiN、TiO₂、Ta₂O₅、MgF、HfO和Al₂O₃中的一种或多种；

所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层的厚度为50-20000A；所述绝缘保护层的厚度为2000-20000A。

5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明导电层的材料为ITO、GaO或ZnO；所述透明导电层的厚度为100-3000A。

6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一扩展电极和所述第二扩展电极结构相同；所述第一扩展电极包括从下到上依次层叠设置的粘结欧姆接触层、反射层、阻挡层、电流扩展层、止刻蚀层和粘结层；

所述粘结欧姆接触层的材料包括Cr、Ni、Ti的一种或多种，厚度为10-50A；所述反射层的材料包括Al、Ag的一种或多种，厚度为500-3000A；所述阻挡层的材料包括Ti、Pt、Ni的一种或多种，厚度为500-3000A；所述电流扩展层的材料包括Pt、Au的一种或多种，厚度为2000-30000A；所述止刻蚀层的材料包括Pt、Ni的一种或多种，厚度为500-3000A；所述粘结层的材料包括Ti、Ni的一种或多种，厚度为500-3000A。

7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一焊接电极和所述第二焊接电极结构相同；所述第一焊接电极包括从下至上依次层叠设置的粘结欧姆接触层、反射层、阻挡层和焊接层；

所述粘结欧姆接触层的材料包括Cr、Ni、Ti的一种或多种，厚度为10-50A；所述反射层的材料包括Al、Ag的一种或多种，厚度为500-3000A；所述阻挡层的材料包括Ti、Pt、Ni的一种或多种，厚度为500-3000A；所述焊接层的材料包括Au、Sn、In、Ag、Cu的一种或多种，厚度为0.1-30μm。