[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及制备方法有效

专利信息
申请号: 202210643709.8 申请日: 2022-06-09
公开(公告)号: CN114726336B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 吴淑娴;吴宗霖;钱航宇;唐供宾;邹洁 申请(专利权)人: 深圳新声半导体有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H3/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张影
地址: 518049 广东省深圳市福田区梅林街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 声波 谐振器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述薄膜体声波谐振器包括:

第一电极,所述第一电极包括在第一方向上依次排列的凸起和/或凹陷;所述第一电极包括第一凸起、第二凸起以及第三凸起;

位于所述第一电极一侧的压电层;所述第一凸起在所述压电层上的正投影宽度为声波波长的整数倍;所述第三凸起在所述压电层上的正投影宽度为声波波长的整数倍;所述第二凸起在压电层上的正投影宽度是所述第一凸起在压电层上的正投影宽度或者所述第三凸起在压电层上的正投影宽度的整数倍;

位于所述压电层背离所述第一电极一侧的第二电极,所述第二电极包括在所述第一方向上依次排列的凸起和/或凹陷;其中,所述第一电极和所述第二电极的凸起和/或凹陷在横向方向上以波长为周期进行周期性延伸;

所述第一电极与所述第二电极相对设置,且所述第一电极的凸起与所述第二电极的凸起相对设置,所述第一电极的凹陷与所述第二电极的凹陷相对设置。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述薄膜体声波谐振器还包括:

所述第二电极包括第四凸起、第五凸起以及第六凸起;

所述第一凸起在所述压电层上的正投影宽度为L1,所述第二凸起在所述压电层上的正投影宽度为L2,所述第三凸起在所述压电层上的正投影宽度为L3,其中L1:L2:L3=1:2:1;

所述第四凸起在所述压电层上的正投影宽度L4,所述第五凸起在所述压电层上的正投影宽度为L5,所述第六凸起在所述压电层上的正投影宽度为L6,其中L4:L5:L6=1:2:1。

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第四凸起在所述压电层上的正投影宽度为声波波长的整数倍;

所述第六凸起在所述压电层上的正投影宽度为声波波长的整数倍。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述薄膜体声波谐振器还包括:

所述第一电极包括第七凸起、第一凹陷以及第八凸起;

所述第二电极包括第九凸起、第二凹陷以及第十凸起;

所述第七凸起在所述压电层上的正投影宽度为M1,所述第一凹陷在所述压电层上的正投影宽度为M2,所述第八凸起在所述压电层上的正投影宽度为M3,其中,M1:M2:M3=1:2:1;

所述第九凸起在所述压电层上的正投影宽度为M4,所述第二凹陷在所述压电层上的正投影宽度为M5,所述第十凸起在所述压电层上的正投影宽度为M6,其中M4:M5:M6=1:2:1。

5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第七凸起在所述压电层上的正投影宽度为声波波长的整数倍;

所述第八凸起在所述压电层上的正投影宽度为声波波长的整数倍。

6.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第九凸起在所述压电层上的正投影宽度为声波波长的整数倍;

所述第十凸起在所述压电层上的正投影宽度为声波波长的整数倍。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述压电层在所述第一电极与所述第二电极之间任意位置的厚度均相同。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述压电层在所述第一电极与所述第二电极之间的厚度为声波波长的整数倍。

9.一种薄膜体声波谐振器的制备方法,其特征在于,用于制备权利要求1-8任一项所述的薄膜体声波谐振器,所述制备方法包括:

形成一第一电极,所述第一电极包括在第一方向上依次排列的凸起和/或凹陷;所述第一电极包括第一凸起、第二凸起以及第三凸起;

在所述第一电极一侧形成压电层;所述第一凸起在所述压电层上的正投影宽度为声波波长的整数倍;所述第三凸起在所述压电层上的正投影宽度为声波波长的整数倍;所述第二凸起在压电层上的正投影宽度是所述第一凸起在压电层上的正投影宽度或者所述第三凸起在压电层上的正投影宽度的整数倍;

在所述压电层背离所述第一电极一侧形成第二电极,所述第二电极包括在第一方向上依次排列的凸起和/或凹陷;其中,凸起和/或凹陷在横向方向上以波长为周期进行周期性延伸;

所述第一电极与所述第二电极相对设置,且所述第一电极的凸起与所述第二电极的凸起相对设置,所述第一电极的凹陷与所述第二电极的凹陷相对设置。

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