[发明专利]一种双栅极TFT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210644076.2 | 申请日： | 2022-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN114937703A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;李澈 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 宋连梅 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 tft 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种双栅极TFT器件，其特征在于：包括：玻璃基板、缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层、有机平坦层和第三金属层；
所述缓冲层上至少具有两个第一凹槽，所述缓冲层上依次覆盖有所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层；
所述第二金属层与所述半导体层搭接；
所述第二绝缘层表面覆盖带有第二凹槽设计的有机平坦层；
沿所述有机平坦层的第二凹槽覆盖一第三金属层，所述第三金属层与所述第二绝缘层接触。
2.如权利要求1所述的一种双栅极TFT器件，其特征在于：所述缓冲层，为SiOx。
3.如权利要求1所述的一种双栅极TFT器件，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层，为Mo/Al/Mo。
4.权利要求1所述的一种双栅极TFT器件，其特征在于：所述第一绝缘层和第二绝缘层，为SiOx或SiNx。
5.权利要求1所述的一种双栅极TFT器件，其特征在于：所述半导体层，为IGZO。
6.一种双栅极TFT器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板，且在所述玻璃基板上覆盖缓冲层；
S2、所述缓冲层上形成至少两个的第一凹槽，于所述缓冲层上依次覆盖第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层和第二绝缘层；
S3、所述第二金属层与所述半导体层搭接；
S4、于所述第二绝缘层表面形成一层带有第二凹槽设计的有机平坦层；
S5、沿所述有机平坦层的第二凹槽覆盖一第三金属层，所述第三金属层与所述第二绝缘层接触。
7.如权利要求6所述的一种双栅极TFT器件的制造方法，其特征在于：所述缓冲层，为SiOx。
8.如权利要求6所述的一种双栅极TFT器件的制造方法，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层，为Mo/Al/Mo。
9.权利要求6所述的一种双栅极TFT器件的制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层和第二绝缘层，为SiOx或SiNx。
10.权利要求6所述的一种双栅极TFT器件的制造方法，其特征在于：所述半导体层，为IGZO。
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