[发明专利]具有调幅到调相（AMPM）补偿的射频功率放大器

权利要求书

1.一种射频功率放大器，所述射频功率放大器包括：

输入晶体管，所述输入晶体管具有被配置为接收射频输入信号的栅极端子、耦接到接地电源线路的源极端子，和耦接到功率放大器输出端子的漏极端子；

电感器，所述电感器具有耦接到所述功率放大器输出端子的第一端子和耦接到正电源线路的第二端子；和

n型金属氧化物半导体电容器，所述n型金属氧化物半导体电容器具有耦接到所述功率放大器输出端子并且被配置为接收偏置电压的栅极端子。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，还包括：

附加输入晶体管，所述附加输入晶体管具有被配置为接收所述射频输入信号的栅极端子、耦接到所述接地电源线路的源极端子，和耦接到附加功率放大器输出端子的漏极端子；

附加电感器，所述附加电感器具有耦接到所述附加功率放大器输出端子的第一端子和耦接到所述正电源线路的第二端子；和

附加n型金属氧化物半导体电容器，所述附加n型金属氧化物半导体电容器具有耦接到所述附加功率放大器输出端子并且被配置为接收所述偏置电压的栅极端子。

3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，还包括：

第一共源共栅晶体管，所述第一共源共栅晶体管具有耦接到所述输入晶体管的所述漏极端子的第一源极-漏极端子、耦接到所述功率放大器输出端子的第二源极-漏极端子，和被配置为接收共源共栅偏置电压的栅极端子；和

第二共源共栅晶体管，所述第二共源共栅晶体管具有耦接到所述附加输入晶体管的所述漏极端子的第一源极-漏极端子、耦接到所述附加功率放大器输出端子的第二源极-漏极端子，和被配置为接收所述共源共栅偏置电压的栅极端子。

4.根据权利要求2所述的射频功率放大器，还包括：

第一电容中和晶体管，所述第一电容中和晶体管具有耦接到所述接地电源线路的源极端子、耦接到所述附加输入晶体管的所述漏极端子的漏极端子，和耦接到所述输入晶体管的所述栅极端子的栅极端子；和

第二电容中和晶体管，所述第二电容中和晶体管具有耦接到所述接地电源线路的源极端子、耦接到所述输入晶体管的所述漏极端子的漏极端子，和耦接到所述附加输入晶体管的所述栅极端子的栅极端子。

5.根据权利要求4所述的射频功率放大器，还包括：

第一电阻器，所述第一电阻器耦接在所述第一电容中和晶体管的所述源极端子和所述接地电源线路之间；和

第二电阻器，所述第二电阻器耦接在所述第二电容中和晶体管的所述源极端子和所述接地电源线路之间。

6.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其中：

所述n型金属氧化物半导体电容器具有耦接到所述接地电源线路的主体端子；并且

所述附加n型金属氧化物半导体电容器具有耦接到所述接地电源线路的主体端子。

7.根据权利要求6所述的射频功率放大器，还包括：

第一电容器，所述第一电容器耦接在所述n型金属氧化物半导体电容器的所述栅极端子和所述功率放大器输出端子之间；和

第二电容器，所述第二电容器耦接在所述附加n型金属氧化物半导体电容器的所述栅极端子和所述附加功率放大器输出端子之间。

8.根据权利要求7所述的射频功率放大器，还包括：

第一电阻器，所述第一电阻器具有耦接到所述n型金属氧化物半导体电容器的所述栅极端子的第一端子，并且具有被配置为接收所述偏置电压的第二端子；和

第二电阻器，所述第二电阻器具有耦接到所述附加n型金属氧化物半导体电容器的所述栅极端子的第一端子，并且具有被配置为接收所述偏置电压的第二端子。

9.根据权利要求6所述的射频功率放大器，还包括：

第一电阻器，所述第一电阻器具有耦接到所述n型金属氧化物半导体电容器的所述栅极端子的第一端子，并且具有被配置为接收所述偏置电压的第二端子；和

第二电阻器，所述第二电阻器具有耦接到所述附加n型金属氧化物半导体电容器的所述栅极端子的第一端子，并且具有被配置为接收所述偏置电压的第二端子。