[发明专利]一种聚酰胺酸、聚酰亚胺及5G用挠性覆铜板的制备方法在审
申请号: | 202210655550.1 | 申请日: | 2022-06-10 |
公开(公告)号: | CN115010923A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 李陶琦;蔡阿丽;聂麒曌;周雨薇 | 申请(专利权)人: | 大同共聚(西安)科技有限公司 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;B32B15/20;B32B15/01;B32B33/00;H05K1/03 |
代理公司: | 西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257 | 代理人: | 张瑞琪 |
地址: | 710075 陕西省西安市高新区科*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 聚酰胺 聚酰亚胺 用挠性覆 铜板 制备 方法 | ||
1.一种用于制备5G高频高速印制电路无胶挠性覆铜板的聚酰胺酸,其特征在于,包含聚酰胺酸,
所述聚酰胺酸是由二酐类单体和二胺类单体反应而得的聚合物;
所述二酐类单体为联苯二酐、含酮基团芳烃二酐、含酯键的芳烃二酐或以上任意两者或三者的混合物;
所述二胺类单体为苯并咪唑类二胺单体、酰胺类二胺单体或以上两者的混合物。
2.根据权利要求1所述的一种用于制备5G高频高速印制电路无胶挠性覆铜板的聚酰胺酸,其特征在于,
所述联苯二酐为2,3,3’,4’-联苯四甲酸二酐,结构式为:
3.根据权利要求2所述的一种用于制备5G高频高速印制电路无胶挠性覆铜板的聚酰胺酸,其特征在于,所述含酮基团芳烃二酐为二苯甲酮四甲酸二酐,其结构式为:
4.根据权利要求3所述的一种用于制备5G高频高速印制电路无胶挠性覆铜板的聚酰胺酸,其特征在于,所述含酯键的芳烃二酐为(4-邻苯二甲酸酐)甲酰氧基-4-邻苯二甲酸酯,其结构式为:
5.根据权利要求4所述的一种用于制备5G高频高速印制电路无胶挠性覆铜板的聚酰胺酸,其特征在于,当所述二酐类单体为联苯二酐、含酮基团芳烃二酐、含酯键的芳烃二酐以上任意两者的混合物时,两者的摩尔比为1:1,当所述二酐类单体为联苯二酐、含酮基团芳烃二酐、含酯键的芳烃二酐三者的混合物时,三者的摩尔比为1:1:1。
6.根据权利要求5所述的一种用于制备5G高频高速印制电路无胶挠性覆铜板的聚酰胺酸,其特征在于,所述苯并咪唑类二胺单体为2-(4-氨基苯基)-5-氨基苯并咪唑,其结构式为
所述酰胺类二胺单体为4,4’-二氨基苯酰替苯胺,其结构式为
7.一种用于制备5G高频高速印制电路无胶挠性覆铜板的聚酰亚胺,其特征在于,由权利要求1-6任意一项的聚酰胺酸通过热亚胺化制得。
8.一种用于5G高频高速印制电路无胶挠性覆铜板的聚酰胺酸的制备方法,其特征在于,由以下步骤组成:
将二胺单体溶解在有机溶剂中,通入惰性气体保护;
搅拌下分多次加入二酐类单体进行缩聚共聚反应得到聚酰胺酸溶液,将聚酰胺酸过滤后静止待用;
其中,惰性气体为氩气,所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮或N,N-二甲基乙酰胺;
在加入二酐类单体时,分2~4次加入二酐类单体,反应温度为0-35℃,反应时间为10h;
所述二酐类单体为联苯二酐、含酮基团芳烃二酐、含酯键的芳烃二酐或以上任意两者或三者的混合物;
所述二胺类单体为苯并咪唑类二胺单体、酰胺类二胺单体或以上两者的混合物。
9.一种5G高频高速印制电路无胶挠性覆铜板的制备方法,其特征在于,由以下步骤组成:
在洁净环境中,将聚酰胺酸经涂布机浇铸在铜箔上;
将涂布聚酰胺酸的铜箔置入防爆烘箱中在氩气保护下热亚胺化,得到5G高频高速印制电路单面无胶挠性覆铜板,
将2张5G高频高速印制电路单面无胶挠性覆铜板,经热压机压制成5G高频高速印制电路双面无胶挠性覆铜板;
其中,所述亚胺化程序为:80℃/5min→120℃/5min→150℃/5min→180℃/5min→200℃/5min→250℃/5min→300℃/4min→350℃/4min→400℃/3min;
热压的条件为:热压温度为300℃、热压压力为5MPa、热压时间为30min。
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