[发明专利]一种低开关损耗型电子变压器在审
申请号: | 202210655603.X | 申请日: | 2022-06-10 |
公开(公告)号: | CN114915143A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 杨锐雄;陈建福;唐捷;陈勇;曹安瑛;邹国惠;裴星宇;李建标;程旭;刘尧;吴宏远;曹健;黄玥;蔡仲启;凌华保;龚文明;韦甜柳;杨双飞 | 申请(专利权)人: | 广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司珠海供电局 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M1/088;H02M3/00;H02M3/335 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 彭东威 |
地址: | 510600 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 开关 损耗 电子变压器 | ||
1.一种低开关损耗型电子变压器,其特征在于,包括:通过磁网络连接的原边H桥和副边H桥;所述磁网络由电感和变压器组成;
所述变压器与所述电感间在所述原边H桥正向电流方向连接有原边谐振电容;所述变压器与所述副边H桥,在所述副边H桥正向电流方向连接有副边谐振电容;
所述原边谐振电容的原边容值通过预先设定的原边容值计算公式确定;所述原边容值用于确定所述原边H桥的原边开关频率;所述副边谐振电容的副边容值通过预先设定的副边容值计算公式确定;所述副边容值用于确定所述副边H桥的副边开关频率;所述原边开关频率与所述副边开关频率相同。
2.根据权利要求1所述的低开关损耗型电子变压器,其特征在于,所述原边容值计算公式为:
其中,fsw为H桥开关频率,Lk1为回路电感,Cr1为原边谐振电容,n1为原边匝数,Lt1为原边漏感,n2为副边匝数,Lt2为副边漏感。
3.根据权利要求2所述的低开关损耗型电子变压器,其特征在于,所述副边容值计算公式为:
4.根据权利要求1所述的低开关损耗型电子变压器,其特征在于,所述原边H桥和所述副边H桥的拓扑结构相同;所述原边H桥包括四个开关管和一个电源电容;
四个所述开关管分为两组开关管组,每组开关管组均包括两个串联连接的开关管,两组所述开关管组并联连接,两组所述开关管组均分别与所述电源电容并联连接。
5.根据权利要求1所述的低开关损耗型电子变压器,其特征在于,所述变压器具体为高频变压器。
6.根据权利要求5所述的低开关损耗型电子变压器,其特征在于,所述高频变压器包括原边漏感支路、副边漏感支路和互感支路。
7.根据权利要求4所述的低开关损耗型电子变压器,其特征在于,所述开关管为主控开关与二极管反向并联组成。
8.根据权利要求7所述的低开关损耗型电子变压器,其特征在于,所述主控开关为IGBT管;所述IGBT管的集电极与所述二极管的阳极连接,所述IGBT管的发射极与所述二极管的阴极连接。
9.根据权利要求7所述的低开关损耗型电子变压器,其特征在于,所述二极管为硅基二极管。
10.根据权利要求7所述的低开关损耗型电子变压器,其特征在于,所述二极管为碳化硅二极管。
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