[发明专利]一种半导体表面增强拉曼散射衬底在审
| 申请号： | 202210657279.5 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115060700A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 何智慧;王奕璇;崔巍 | 申请（专利权）人： | 延安大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 文怡然 |
| 地址： | 716000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 表面 增强 散射 衬底 | ||
1.一种半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，包括基底、半导体层、第一导体侧壁、第二导体侧壁、第一绝缘体侧壁、第二绝缘体侧壁；所述半导体层置于所述基底上，所述第一导体侧壁、所述第二导体侧壁、所述第一绝缘体侧壁、所述第二绝缘体侧壁置于所述半导体层上的四周并围成凹槽，所述第一导体侧壁和所述第二导体侧壁相对设置，所述第一绝缘体侧壁和所述第二绝缘体侧壁相对设置。
2.如权利要求1所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述基底为绝缘材料。
3.如权利要求1所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述第一导体侧壁和所述第二导体侧壁的材料为金属。
4.如权利要求1所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述第一绝缘体侧壁和所述第二绝缘体侧壁的材料为绝缘体。
5.如权利要求1所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述半导体层的材料为金属氧化物。
6.如权利要求5所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述金属氧化物为氧化锌、氧化钛、氧化铜、氧化银、三氧化二铁。
7.如权利要求1-6任一项所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：在所述凹槽内，所述半导体层上设有孔洞。
8.如权利要求7所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述孔洞的直径大于10纳米、小于1000纳米。
9.如权利要求8所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述孔洞周期排布。
10.如权利要求9所述的半导体表面增强拉曼散射衬底，其特征在于：所述孔洞排布的周期为方形周期。
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