[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

衬底；

多个存储节点焊盘，设置在所述衬底上；

支撑结构，设置在所述衬底上，所述支撑结构包括由下而上依序设置的第一支撑层以及第二支撑层；以及

电容结构，设置在所述衬底上，所述电容结构包括多个电容分别接触各所述存储节点焊盘，各所述电容包括由下而上依序堆叠的底电极层、电容介电层、以及顶电极层，其中，各所述底电极层具有向上延伸的两部分，所述两部分之一分别包括延伸于各所述存储节点焊盘与所述第一支撑层之间的第一厚度、以及延伸于所述第一支撑层与所述第二支撑层之间的第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二厚度延伸至切齐所述第二支撑层的底面。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，所述两部分之所述一还包括延伸于所述第二支撑层的所述底面与顶面之间的第三厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第三厚度相同于所述第一厚度。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第三厚度大于所述第一厚度。

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，所述两部分在垂直于所述衬底的方向上具有不同的高度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二厚度延伸至超过所述第二支撑层的底面。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一厚度延伸至所述第一支撑层的顶面。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一厚度延伸至超过所述第一支撑层的底面。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述两部分互不对称。

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述两部分互相对称。

12.一种半导体存储装置的制作方法，其特征在于包含：

提供衬底；

于所述衬底上形成多个存储节点焊盘；

于所述衬底上形成支撑结构，所述支撑结构包括由下而上依序设置的第一支撑层以及第二支撑层；以及

于所述衬底上电容结构，所述电容结构包括多个电容分别接触各所述存储节点焊盘，各所述电容包括由下而上依序堆叠的底电极层、电容介电层、以及顶电极层，其中，各所述底电极层具有向上延伸的两部分，所述两部分之一分别包括延伸于各所述存储节点焊盘与所述第一支撑层之间的第一厚度、以及延伸于所述第一支撑层与所述第二支撑层之间的第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。

13.根据权利要求12所述的半导体存储装置的制作方法，其特征在于，所述支撑结构的形成还包括：

于所述衬底上形成依序堆叠的第一支撑材料层、第二支撑材料层、第三支撑材料层以及第四支撑材料层；

形成多个开口，所述开口贯穿第四支撑材料层、第三支撑材料层、第二支撑材料层以及第一支撑材料层；

于所述第四支撑材料层上形成多个掩模图案；

通过所述掩模图案移除部分的所述第四支撑材料层以及部份的所述第三支撑材料层；

移除所述掩模图案以及剩余的所述第三支撑材料层；

移除部分的所述第二支撑材料层；以及

完全移除所述第一支撑材料层，形成所述支撑结构。