[发明专利]一种诱导A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202210659506.8 | 申请日： | 2022-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN115094508A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 姚凯;单乐婷;武龙 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/10;G01D5/26;G01T1/16;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 王焕巧 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 诱导 混合 阳离子 碘基钙钛矿单晶 有序 生长 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种诱导A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、将AI和PbI2按照化学计量比混合，然后加入极性有机溶剂，搅拌溶解，得到APbI3混合阳离子钙钛矿单晶生长溶液，溶液浓度为0.8mol/L～1.5mol/L，然后按比例添加诱导剂碱土金属甲酸盐，最后继续搅拌6～12小时至溶液完全清澈；A位为Cs+、FA+以及胍阳离子C(NH2)3+(GA+)、二甲胺阳离子(CH3)2NH2+(DMA+)或乙脒阳离子CH3C(NH2)2+(AA+)中的任意一种；碱土金属甲酸盐化学式为Ca(HCOO)2、Sr(HCOO)2或Ba(HCOO)2；
S2、将步骤S1最后得到的A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶生长溶液从60℃缓慢升温至110℃～130℃，升温速率为1～5℃/h，可在1至3天后一次性获得长和宽为2mm～1cm的A位混合阳离子钙钛矿单晶，经过表面清洗，真空干燥处理，得到高质量的A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶。
2.根据权利要求1所述的诱导A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法，其特征在于：步骤S1中，极性有机溶剂为γ-丁内酯、N-甲基吡洛烷酮、二甲基亚砜、N，N-二甲基甲酰胺中的任意一种或其混合溶剂。
3.根据权利要求1所述的诱导A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法，其特征在于：步骤S1中，APbI3混合阳离子钙钛矿单晶生长溶液中，碱土金属甲酸盐的掺杂摩尔浓度范围为Pb2+离子的0.01％-1％。
4.如权利要求1-3任一项所述制备方法得到的A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶在半导体光电器件中的应用。
5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于：所述光电器件包括太阳能电池、光电探测器和光电传感器中的任一种。
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