[发明专利]一种超薄三维堆叠扇出型封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种超薄三维堆叠扇出型封装结构，其特征在于，包括：

承载片，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，且该承载片中贯穿有第一导电柱；

第一芯片或包含有第一芯片的第一半封装单元，其设置于承载片的第一表面下方，并与所述第一导电柱电性连接；

第一塑封层，覆盖在承载片的第一表面上，并包裹所述第一芯片或第一半封装单元；第一塑封层的下表面与第一芯片的背面齐平；

保护膜层，覆盖在第一塑封层的下表面和第一芯片的背面上；

上金属布线层，设置于承载片的第二表面上，且与所述第一导电柱电连接；且该上金属布线层上还连接有第二导电柱；

第二芯片或包含有该第二芯片的第二半封装单元，其设置于承载片的第二表面上方，且与所述上金属布线层电连接；

第二塑封层，覆盖在承载片的第二表面上，并包裹所述第二导电柱以及第二芯片或包含有第二芯片的第二半封装单元；

电性导出结构，与所述第二导电柱电连接。

2.根据权利要求1所述的一种超薄三维堆叠扇出型封装结构，其特征在于，所述第二塑封层的上表面和第二芯片的背面齐平。

3.根据权利要求2所述的一种超薄三维堆叠扇出型封装结构，其特征在于，第二塑封层上设有导电布线层，且该导电布线层与所述第二导电柱电连接，所述导电布线层上覆盖有绝缘介质层，该绝缘介质层上设有对应于所述导电布线层的导通孔，所述电性导出结构设置于该导通孔上。

4.根据权利要求3所述的一种超薄三维堆叠扇出型封装结构，其特征在于，绝缘介质层的导通孔中设有与所述导电布线层连接的导电线路，所述电性导出结构与该导电线路连接。

5.根据权利要求1所述的一种超薄三维堆叠扇出型封装结构，其特征在于，所述第一半封装单元还包括第一电性互联结构、至少一层第一绝缘材料层和至少一层形成于该第一绝缘材料层上的第一再布线层，该第一电性互联结构与第一再布线层连接，第一再布线层又与第一芯片电连接，该第一半封装单元通过所述第一电性互联结构与第一导电柱电连接；所述第二半封装单元还包括第二电性互联结构、至少一层第二绝缘材料层和至少一层形成于该第二绝缘材料层上的第二再布线层，该第二电性互联结构与第二再布线层连接，第二再布线层又与第二芯片电连接，该第二半封装单元通过该第二电性互联结构与上金属布线层电连接。

6.根据权利要求1所述的一种超薄三维堆叠扇出型封装结构，其特征在于，所述承载片的第一表面上还形成有与所述第一导电柱连接的下金属布线层，该下金属布线层与所述第一芯片电连接。

7.一种超薄三维堆叠扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，提供一承载片，在该承载片中形成第一导电柱；

S2，将第一芯片或包含有第一芯片的第一半封装单元与承载片上的第一导电柱电连接；

S3，在承载片的第一表面上形成将所述第一芯片或第一半封装单元包埋的第一塑封层；

S4，对承载片的第二表面进行减薄，使第一导电柱的上端露出，然后在承载片的第二表面形成与第一导电柱连接的上金属布线层以及与上金属布线层连接的第二导电柱；

S5，将第二芯片或包含有第二芯片的第二半封装单元倒置，并使其与上金属布线层电连接；

S6，在承载片的第二表面上形成第二塑封层，第二塑封层将第二导电柱和第二芯片包埋；

或者，将步骤S4中的第二导电柱的形成设置在形成第二塑封层之后；

S7，对第一塑封层和第一芯片进行减薄，使第一塑封层的表面与第一芯片的背面齐平，并在第一塑封层和第一芯片上形成保护膜层；

或者，将步骤S7在步骤S4之前进行；

S8，在第二塑封层的上方形成与所述第二导电柱电连接的电性导出结构。

8.根据权利要求7所述的超薄三维堆叠扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，在承载片的第一表面上还形成有下金属布线层，第一芯片或第一半封装单元通过该下金属布线层与第一导电柱电连接。