[发明专利]一种电极传输线及包含有该电极传输线的硅基电光调制器在审
申请号: | 202210667833.8 | 申请日: | 2022-06-14 |
公开(公告)号: | CN114994962A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 刘亚东;蔡鹏飞 | 申请(专利权)人: | NANO科技(北京)有限公司 |
主分类号: | G02F1/035 | 分类号: | G02F1/035;G02F1/03 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100000 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电极 传输线 含有 电光 调制器 | ||
1.一种电极传输线,其特征在于,包括:至少两层金属层,且每层金属层由若干金属电极组成,且相邻金属层中对应位置的金属电极的两侧通过通孔进行电学接触,形成矩形框体状的电极结构。
2.根据权利要求1所述的一种电极传输线,其特征在于,各个金属层中金属电极的分布、形状及尺寸相一致。
3.一种硅基电光调制器,其特征在于,该硅基电光调制器包括如权利要求1或2所述的电极传输线。
4.根据权利要求3所述的一种硅基电光调制器,其特征在于,所述电极传输线中的最顶层金属层作为该硅基电光调制器的电极PAD层。
5.根据权利要求4所述的一种硅基电光调制器,其特征在于,所述电极传输线中的最底层金属层通过通孔与该硅基电光调制器的PN结连接。
6.根据权利要求5所述的一种硅基电光调制器,其特征在于,还包括:硅衬底及位于所述硅衬底上方的二氧化硅隔离层,所述PN结制备在所述二氧化硅隔离层上。
7.根据权利要求6所述的一种硅基电光调制器,其特征在于,还包括:二氧化硅覆盖层,所述二氧化硅覆盖层位于所述二氧化硅隔离层上方,所述电极传输线位于所述二氧化硅覆盖层内。
8.根据权利要求7所述的一种硅基电光调制器,其特征在于,还包括:光波导、和束器、分束器、终端负载。
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