[发明专利]用于增加来自安瓿的通量的设备

权利要求书

1.一种用于半导体制造前驱物的安瓿，所述安瓿包含：

容器，所述容器封闭有空腔，所述空腔与气体源处于固定构造；

入口端口，所述入口端口限定气体通道，所述气体通道具有与所述空腔流体连通的底端，所述入口端口具有喷头，所述喷头在位于所述空腔内的所述入口端口的所述底端处，所述喷头包含至少两个成角度的喷嘴，以引导气体的流动，使得当包含前驱物的液体存在于所述容器中时，来自任何喷嘴的所述气体的所述流动不垂直于所述液体的表面；及

出口端口，与所述空腔流体连通，以将气态前驱物和所述载气引导出所述容器。

2.根据权利要求1所述的安瓿，其中当存在液体时，所述喷嘴在相对于与所述液体的所述表面正交的线而测量的约2°至约25°的范围中独立地成角度。

3.根据权利要求1所述的安瓿，其中当存在液体时，所述喷嘴在相对于与所述液体的所述表面正交的线而测量的约5°至约7°的范围中独立地成角度。

4.根据权利要求1所述的安瓿，其中存在有在两个至四个范围中的喷嘴。

5.根据权利要求1所述的安瓿，其中所述喷嘴的所有喷嘴与所述气体通道的所述底端直接流体连通。

6.根据权利要求1所述的安瓿，其中所述容器包含底部、多个侧壁和盖。

7.根据权利要求6所述的安瓿，其中所述盖是与所述底部和所述侧壁分离的分离部件。

8.根据权利要求7所述的安瓿，其中所述盖使用多个可移除的螺栓而连接到所述容器的所述侧壁。

9.根据权利要求8所述的安瓿，其中所述入口端口的所述底端位于与所述盖相距第一正交距离处，并且所述出口端口位于与所述盖相距第二正交距离处，并且所述第一正交距离大于所述第二正交距离。

10.根据权利要求1所述的安瓿，进一步包含在所述空腔内的所述前驱物。

11.根据权利要求10所述的安瓿，其中所述前驱物包含二钴六羰基叔丁基乙炔。

12.根据权利要求1所述的安瓿，其中所述流动由来自所述气体源的所述气体组成。

13.根据权利要求1所述的安瓿，其中所述气体的所述流动足以扰乱所述液体的液体/气体界面而不起泡。

14.根据权利要求13所述的安瓿，其中扰动所述液体/气体界面在所述液体的所述表面中形成凹坑，所述凹坑具有小于或等于约1mm的深度。

15.根据权利要求1所述的安瓿，其中所述气体的所述流动具有最大速度以防止在所述出口端口处的冷凝。

16.一种用于半导体制造前驱物的安瓿，所述安瓿包含：

容器，所述容器封闭有空腔；

入口端口，与所述空腔流体连通，所述入口端口具有喷头，所述喷头在位于所述空腔内的所述入口端口的底端处，所述喷头包含三个成角度的喷嘴，以引导由气体组成的流动，使得当液体存在于所述容器中时，来自任何喷嘴的所述气流独立地在相对于与所述液体的表面正交的线而测量的约5°至约7°的范围中；及

出口端口，与所述空腔流体连通。

17.根据权利要求16所述的安瓿，其中所述容器包含底部、多个侧壁和盖，并且所述入口端口的所述底端位于与所述盖相距第一正交距离处，并且所述出口端口位于与所述盖相距第二正交距离处，并且所述第一正交距离大于所述第二正交距离。