[发明专利]一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法

权利要求书

1.一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：

步骤1，将玻璃基板放置在可上下移动调节的下电极上，

步骤2，依据设定的镀膜所需电极间距移动下电极至基准位置；

步骤3，通过上电极通入镀膜所需气体并由射频功率将镀膜所需气体解离成等离子体以进行镀层，并开始计时镀膜总时间；

步骤4，微距离下移下电极，开始计时动态时间；

步骤5，判断镀膜总时间是否达到设定镀膜时间；是则，执行步骤10；否则，执行步骤6；

步骤6，判断动态时间是否达到设定周期时间；是则，当前动态时间清零并执行步骤7；并执行步骤7；否则，执行步骤5

步骤7，微距离上移下电极，开始计时动态时间；

步骤8，判断镀膜总时间是否达到设定镀膜时间；是则，执行步骤10；否则，执行步骤9；

步骤9，判断动态时间是否达到设定周期时间；是则，当前动态时间清零并执行步骤4；否则，执行步骤8；

步骤10，结束镀膜，关闭镀膜所需气体的输入以及射频功率。

2.根据权利要求1所述的一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法，其特征在于：步骤2中下电极移动过程中同步进行玻璃基板的预热。

3.根据权利要求1所述的一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法，其特征在于：步骤3中镀膜所需气体为硅烷和一氧化二氮。

4. 根据权利要求1所述的一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法，其特征在于：微距离为20 mil、30 mil或40 mil。

5.根据权利要求1所述的一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法，其特征在于：设定的周期时间不大于设定镀膜时间的一半时长。

6.根据权利要求1所述的一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法，其特征在于：设定的周期时间为90秒，循环周期次数及一周期时间可调整，满足总时间等于镀膜时间。