[发明专利]稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202210683697.1 | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN115000252A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王晓丹;罗璇;陈华军;王丹;毛红敏;葛丽娟;曾雄辉 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/324;H01L21/205;H01L21/02;C30B29/40;C30B25/16;C30B25/14;C30B25/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稀土 掺杂 gan 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法基于一反应器（1），此反应器（1）一侧在竖直方向上依次设置有第一进气通道（2）、第二进气通道（3）和第三进气通道（4），另一侧具有排气通道（5），一衬底（8）位于第一进气通道（2）、第二进气通道（3）、第三进气通道（4）与排气通道（5）之间；
包括以下步骤：
步骤一、在反应器（1）中第一进气通道（2）、第三进气通道（4）内分别设置有镓金属蒸发池（6）、稀土铕金属蒸发池（7），所述衬底（8）设置于反应器（1）的底部；
步骤二、以氮气和氢气的混合气体作为载气混合有氨气从第二进气通道（3）进入反应器（1）内，氯化氢作为反应气体分别流过设置有镓金属蒸发池（6）、稀土铕金属蒸发池（7）的第一进气通道（2）、第三进气通道（4），从而在衬底（8）上形成铕掺GaN单晶薄膜；所述镓金属蒸发池（6）的温度为850~900℃，所述稀土铕金属蒸发池（7）的温度为600~1000℃；
步骤三、将步骤二获得的铕掺GaN单晶薄膜装入炉中退火，退火条件为：氮气或和氨气，退火温度为1000~1200 ℃，退火时间为0.5~4 h。
2.根据权利要求1所述的稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法，其特征在于：所述稀土铕金属蒸发池（7）设置于镓金属蒸发池（6）上方。
3.根据权利要求1所述的稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底（8）上的铕掺GaN单晶薄膜生长速率控制在60~120μm/h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州科技大学，未经苏州科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210683697.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
