[发明专利]利用低温真空CVD制备MXene-石墨圆环堆叠碳纳米管的方法

权利要求书

1.利用低温真空CVD制备MXene-石墨圆环堆叠碳纳米管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将LiF与盐酸溶液中，加入Ti₃AlC₂粉末并搅拌；然后离心、洗涤，干燥后得到MXene粉末；

(2)将步骤(1)制备的MXene粉末浸入由乙醇和六水合硝酸镍组成的混合溶液中，浸泡后分离出MXene沉淀物，并干燥；然后置于CVD炉中并抽至真空，通入惰性保护气体，升温后注入氢气和乙炔，保温后得到MXene-石墨圆环堆叠碳纳米管材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述LiF与盐酸溶液的加入量之比为6g：100mL；所述盐酸溶液的浓度为9M。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述Ti₃AlC₂粉末与LiF的质量比为1：1；所述搅拌的时间为36～48h。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述洗涤为去离子水洗涤至pH达到6；所述干燥为真空冷冻干燥，干燥时间为24h，冷冻温度为-4～-30℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述混合溶液的浓度为0.05M；所述MXene粉末与混合溶液的质量之比为1:8。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述浸泡的时间为10min；所述干燥为真空干燥，干燥的温度为50℃、时间为30min。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述惰性保护气体的流速为10L/min；Ar:H₂:C₂H₂的气体流速之比为2:2:1。

8.根据权利要求1所述的，其特征在于，步骤(2)中，所述升温的速度为10℃/min，升温至450℃；所述CVD炉的压力为0.01MPa；所述保温的时间为10min。

9.权利要求1～8任一项所述的方法制备得到的MXene-石墨圆环堆叠碳纳米管材料。

10.权利要求9所述的MXene-石墨圆环堆叠碳纳米管材料在提高极化弛豫损耗和电磁波吸收性能中的应用。