[发明专利]半导体装置及功率放大器在审
| 申请号： | 202210684543.4 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115498032A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 黄皆智;林彦丞;林正国;王伟州;林哲楷 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;叶明川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 功率放大器 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一衬底；
一沟道层，设置于所述衬底上，其中所述沟道层是以氮化镓形成；
一阻挡层，设置于所述沟道层上，其中所述阻挡层是以氮化铝镓AlzGa1-zN形成；
一插入结构，插入于所述沟道层与所述阻挡层之间，包括
一第一插入层，设置于所述沟道层上，其中所述第一插入层是以氮化铝镓AlxGa1-xN形成；以及
一第二插入层，设置于所述第一插入层上，其中所述第二插入层是以氮化铝镓AlyGa1-yN形成，且y大于x；
一栅极电极，设置于所述阻挡层上；
一源极电极，设置于所述阻挡层上，且于所述栅极电极的一第一侧；以及
一漏极电极，设置于所述阻挡层上，且于所述栅极电极的一第二侧，所述第二侧相对于所述栅极电极的所述第一侧，其中于所述源极电极和所述漏极电极的至少一个之下形成一尖状区。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，x符合：0.15≤x≤0.50。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，x介于0.15和0.18之间。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，x介于0.2和0.5之间。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，y符合：0.5≤y≤1。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，y＝1。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，z符合：0.18≤z≤0.50。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，x对z的比例介于0.5和1.5之间。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，x对z的比例等于1。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一插入层具有一第一厚度，所述第二插入层具有一第二厚度，且所述第二厚度对所述第一厚度的比例介于0.25和3之间。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一厚度介于和之间。
12.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第二厚度介于和之间。
13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述尖状区还包括：
一第一尖状区，形成于所述源极电极之下；以及
一第二尖状区，形成于所述漏极电极之下。
14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述第一尖状区和所述第二尖状区延伸穿过所述阻挡层和所述插入结构，且进入所述沟道层中。
15.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述第一尖状区和所述第二尖状区包括钛。
16.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述第一尖状区和所述第二尖状区包括氮化钛。
17.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
一缓冲层，设置于所述衬底和所述沟道层之间，其中所述缓冲层是以氮化铝镓AlwGa1-wN形成，且w符合：0≤w≤0.2。
18.如权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，所述尖状区进一步延伸进入所述缓冲层中。
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