[发明专利]一种A位双取代的铌酸银基钙钛矿反铁电陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 202210689792.2 | 申请日: | 2022-06-17 |
公开(公告)号: | CN114907123B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 田野;宋盼盼;耿嘉;黎垒;贾烨;葛万银 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 高博 |
地址: | 710021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 取代 铌酸银基钙钛矿反铁电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种A位双取代的铌酸银基钙钛矿反铁电陶瓷材料及其制备方法,通过常规固相反应法合成固溶体,具体操作步骤:将Agsubgt;2/subgt;O,Nbsubgt;2/subgt;Osubgt;5/subgt;,Ksubgt;2/subgt;COsubgt;3/subgt;和Smsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;等原料按比例称量后混合球磨、烘干、研磨、过筛处理、预烧、造粒、压制成型、烧结,即得所述铌酸银基反铁电陶瓷材料。在330kV/cm的外加电场下,铌酸银基钙钛矿反铁电陶瓷材料具有3.96J/cmsupgt;3/supgt;的储能密度以及73.56%的储能效率,为改善铌酸银基材料的储能性能提供了一种新思路。
技术领域
本发明属于无铅介电储能材料技术领域,具体涉及一种A位双取代的铌酸银基钙钛矿反铁电陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
随着电子工业的快速发展,人们对电力存储装置的需求也日益增大。当前的储能装置主要有以下三种:电池、超级电容器以及电介质电容器。与前两种储能装置相比,电介质电容器存储的电能可以在超短时间内快速释放,满足脉冲功率系统的需求,有望应用于工业、医疗以及军事等领域。在电介质材料中,反铁电体具有较高的Pm以及较小的Pr在储能领域展现了一定的优势,引起了人们的广泛研究。
然而,目前所报道的储能性能优异的反铁电材料几乎都含有大量的铅元素。众所周知,铅元素在制造及使用过程中会对人体及环境产生较大的危害,因此,寻找一种新型无铅反铁电材料具有十分重要的意义。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种A位双取代的铌酸银基钙钛矿反铁电陶瓷材料及其制备方法,减小了铌酸银AFE-FE相变的滞后,从而表现出较高的最大极化以及较小的剩余极化,使其储能性能得到了提升。
本发明采用以下技术方案:
一种A位双取代的铌酸银基钙钛矿反铁电陶瓷材料,A位双取代的铌酸银基钙钛矿反铁电陶瓷材料的化学组成为:(Ag1-x-3yKxSmy)NbO3,其中,x,y为摩尔百分比,且0.01x=y≤0.07。
具体的,A位双取代的铌酸银基钙钛矿反铁电陶瓷材料的厚度为0.1~0.15mm,储能密度为1.1~3.96J/cm3,储能效率为42.1%~73.56%。
本发明的另一技术方案是,一种制备A位双取代的铌酸银基钙钛矿反铁电陶瓷材料的方法,包括以下步骤:
S1、按化学组成(Ag1-x-3yKxSmy)NbO3中的计量比x=y=0.01、0.03、0.05、0.07计算得的质量,分别称取Ag2O,Nb2O5,K2CO3和Sm2O3粉体;
S2、对步骤S1称取Ag2O,Nb2O5,K2CO3和Sm2O3粉体混合后进行第一次球磨处理,然后依次进行烘干、研磨和过筛处理;
S3、对步骤S2过筛处理后的混合粉体进行预烧处理,经自然冷却后进行第二次球磨处理,取出粉体并烘干得到预制粉体;
S4、将步骤S3得到的预制粉体进行研磨,过筛得到筛选粉体,然后向筛选粉体中加入质量浓度为5%~6%的PVA溶液,混合均匀后得到造粒粉体,将造粒粉体压制成胚体;
S5、对步骤S4得到的胚体进行烧结处理,自然冷却后得到烧结陶瓷片;
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