[发明专利]一种基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器

说明书

本发明公开了一种基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器，包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、耦合电容、第一可调有源电感以及第二可调有源电感，其中，第一电阻连接在电源端与第三NMOS管的漏极之间，第二电阻连接在电源端VDD与第四NMOS管的漏极之间，第三NMOS管的漏极作为第一差分电压输出端，第四NMOS管的漏极作为第二差分电压输出端；第一可调有源电感连接在第一NMOS管的源极与接地端之间，第二可调有源电感连接在第二NMOS管的源极与接地端之间，第一可调有源电感和第二可调有源电感能够根据输入电压的频率调节电感值。本发明通过可调有源电感的使用减少了芯片内部电感，极大的减小了面积，降低了成本。

技术领域

本发明属于射频集成电路技术领域，具体涉及一种基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器。

背景技术

低噪声放大器是通常接收系统的第一级，需要提供足够的增益来减小后级模块等效到接收机输入端的噪声贡献，此外，其自身也必须具有很低的噪声系数，因为其所具有的噪声系数将1:1的体现到接收机整体噪声系数。随着无线通信技术的快速发展，万物联网的愿景逐步成为现实，这就要求更多的无线设备接入互联网，低功耗和高性能的需求越发明显。随着工艺的发展，单个晶体管所消耗的能耗日益减少，截止频率越来越高，高密度集成的CMOS收发芯片设计日渐成熟。

在传统低噪声放大器的设计当中，片上电感广泛的被设计师所使用。片上电感经常被用作阻抗匹配和源极的负反馈。CMOS集成度提高反而使得片上电感的设计越来越困难。这是由于片上电感需要较宽的高层金属，较多的金属匝数，这在小工艺下面临着很大的挑战。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明提供了一种基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器，包括第一电阻R₁、第二电阻R₂、第一NMOS管M₁、第二NMOS管M₂、第三NMOS管M₃、第四NMOS管M₄、耦合电容C_c、第一可调有源电感L_AI1以及第二可调有源电感L_AI2，其中，

所述第一电阻R₁连接在电源端VDD与所述第三NMOS管M₃的漏极之间，所述第二电阻R₂连接在电源端VDD与所述第四NMOS管M₄的漏极之间，所述第三NMOS管M₃的漏极作为第一差分电压输出端，所述第四NMOS管M4的漏极作为第二差分电压输出端；

所述第三NMOS管M₃的栅极连接所述第四NMOS管M₄的栅极并连接第一偏置电压输入端，所述第三NMOS管M₃的源极连接所述第一NMOS管M₁的漏极，所述第四NMOS管M₄的源极连接所述第二NMOS管M₂的漏极；

所述耦合电容C_c连接在所述第三NMOS管M₃的源极与所述第二NMOS管M₂的栅极之间，所述第一可调有源电感L_AI1连接在所述第一NMOS管M₁的源极与接地端之间，所述第二可调有源电感L_AI2连接在所述第二NMOS管M₂的源极与接地端之间，所述第一NMOS管M₁的栅极连接电压输入端和第二偏置电压输入端，所述第二NMOS管M₂的栅极连接第三偏置电压输入端；

所述第一可调有源电感L_AI1和第二可调有源电感L_AI2能够根据输入电压的频率调节电感值。