[发明专利]等离子体处理降低正极材料烧成用匣钵腐蚀速度的方法

权利要求书

1.一种等离子体处理降低正极材料烧成用匣钵腐蚀速度的方法，其特征在于，具体步骤为：

将氢氧化锂和镍钴锰前驱体混合粉体进行等离子体预处理后，再装入匣钵中进行烧成处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体为常压等离子体或低压等离子体。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述常压等离子体为介质阻挡放电等离子体；所述低压等离子体为微波等离子体或射频等离子体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当常压等离子体为介质阻挡放电等离子体时，预处理时间为1-10min；当低压等离子体为微波等离子体时，预处理时间为1-10min；当等离子体为射频等离子体时，预处理时间为1-20min。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当等离子体为介质阻挡放电等离子体时，具体步骤为：

1)将氢氧化锂和镍钴锰前驱体混合粉体铺展在金属基板上，置于介质阻挡放电等离子体反应器中，反应器中的气体为空气；

2)开启介质阻挡放电，使等离子体作用在混合粉体上，实现对混合粉体的等离子体预处理；预处理的工艺条件为：介质阻挡放电的工作电压为10-50kV，放电频率为10-40kH；等离子体预处理时间为1-10min；

3)将等离子体预处理后的原料装入匣钵中，置于高温炉中，按照三元正极材料的烧成工艺进行烧成。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当等离子体为微波等离子体时，具体步骤为：

1)将氢氧化锂和镍钴锰前驱体混合粉体铺展在微波等离子体反应器中；

2)开启微波等离子体，实现对混合粉体的等离子体预处理；等离子体预处理的工艺条件为：工作气体为氧气，反应器内压力为0.5-20kPa，预处理时间为1-10min；

3)将经微波等离子体预处理后的原料装入匣钵中，置于高温炉中，按照三元正极材料的烧成工艺进行烧成。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当等离子体为射频等离子体时，具体步骤为：

1)将氢氧化锂和镍钴锰前驱体混合粉体铺展在射频等离子体反应器中；

2)开启射频等离子体，实现对混合粉体的等离子体预处理；等离子体预处理的工艺条件为：工作气体为氧气和氩气混合气体，其中氧气占比10％-50％，反应器内压力为1.5-30Pa，预处理时间为1-20min；

3)将经射频等离子体预处理后的原料装入匣钵中，置于高温炉中，按照三元正极材料的烧成工艺进行烧成。