[发明专利]制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件

权利要求书

1.一种制备半导体结构的方法，其特征在于，包括：

S100，获取一晶体外延结构（100），所述晶体外延结构（100）包括含铝外延层（200）及设置于所述含铝外延层（200）上的限制层（300）；

S200，在所述限制层（300）上开设多个开口，所述开口贯穿所述限制层（300）并连通至所述含铝外延层（200）；

其中，靠近所述含铝外延层（200）中心线的开口的口径大于远离所述含铝外延层（200）中心线的开口的口径；

S300，将所述晶体外延结构（100）置入湿法氧化装置中，以使在所述含铝外延层（200）两侧形成氧化介质层，中央形成电流通道（210）。

2.根据权利要求1所述的制备半导体结构的方法，其特征在于，相邻所述开口之间的间隔距离中，靠近所述含铝外延层（200）中心线处的所述间隔距离小于远离所述含铝外延层（200）中心线处的所述间隔距离。

3.根据权利要求2所述的制备半导体结构的方法，其特征在于，所述电流通道（210）两侧均设置有多个所述开口，且多个所述开口在所述电流通道（210）两侧对称分布。

4.根据权利要求3所述的制备半导体结构的方法，其特征在于，在所述电流通道（210）的同一侧，所述开口包括第一开口（310）和第二开口（320），所述第一开口（310）相比所述第二开口（320）更靠近所述电流通道（210）的中心线；

其中，所述第一开口（310）的口径范围为0.18μm-0.22μm，所述第二开口（320）的口径范围为0.08μm-0.12μm。

5.根据权利要求4所述的制备半导体结构的方法，其特征在于，在所述电流通道（210）的同一侧，所述第一开口（310）设置有多个，多个所述第一开口（310）在所述第二开口（320）靠近所述电流通道（210）中心线的一侧间隔设置；

和/或，在所述电流通道（210）的同一侧，所述第二开口（320）设置有多个，多个所述第二开口（320）在所述第一开口（310）远离所述电流通道（210）中心线的一侧间隔设置。

6.根据权利要求5所述的制备半导体结构的方法，其特征在于，在所述电流通道（210）的同一侧，所述第一开口（310）设置有两个，所述第二开口（320）设置有两个，且两个所述第一开口（310）与两个所述第二开口（320）依次间隔设置；

其中，两个所述第一开口（310）之间的间隔距离为第一间距（330），所述第一开口（310）与相邻所述第二开口（320）之间的间隔距离为第二间距（340），两个所述第二开口（320）之间的间隔距离为第二间距（340）；

所述第一间距（330）的范围为0.06μm-0.1μm，所述第二间距（340）的范围为0.13μm-0.17μm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备半导体结构的方法，其特征在于，所述制备半导体结构的方法还包括S400：

将所述晶体外延结构（100）置入湿法氧化装置后，将所述湿法氧化装置的温度升高，再将含水蒸气气体通入所述湿法氧化装置，以使所述含水蒸气气体通过所述开口与所述含铝外延层（200）进行氧化反应；

所述湿法氧化装置升温至最高温度时，停止向所述湿法氧化装置通入所述含水蒸气气体，并通入氮气，以退火；

其中，所述最高温度的范围为460℃-500℃，退火时间范围为20分钟-25分钟，退火时氮气通入流量范围为3L/min-4L/min。

8.根据权利要求7所述的制备半导体结构的方法，其特征在于，将所述湿法氧化装置的温度升高至第一温度时，将第二温度的含水蒸气气体通入所述湿法氧化装置；

所述第一温度的范围为420℃至480℃，和/或，所述第二温度的范围为85℃至90℃。