[发明专利]一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括：

步骤一：旋涂处理：在半导体材料制成的基底的上表面旋涂一层光刻胶；

步骤二：转印处理：将纳米阵列的模板压印在所述基底的所述压印胶上，使纳米阵列转印至所述压印胶上；

步骤三：阵列处理：将转印有纳米阵列的基底倒置，与硅基底进行结合，并形成纳米级的微通道阵列，并将ZnO盐溶液滴至微通道阵列的一端，以使所述ZnO盐溶液受到所述微通道阵列的毛细力的作用下，流入至所述微通道阵列中，并在所述微通道阵列中进行自组装，从而形成纳米线阵列；

步骤四：加热处理：将所述微通道阵列进行加热，使所述纳米线阵列定型；

步骤五：分离处理：将压印胶从所述硅基底揭除，并通过在揭除过程中，对分离区进行加热，并在基底上获得p型ZnO纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤四中，将所述微通道阵列进行加热的时间为5－10min，且加热的温度为100－130℃。

3.根据权利要求1所述的一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述基底的材质选自聚二甲基硅氧烷(PDMS)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。

4.根据权利要求1所述的一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述压印胶包括：紫外固化压印胶、热塑性压印胶或热固型压印胶，所述ZnO纳米线阵列至少包括但不限于以下其一：直线阵列、曲线阵列、十字交叉阵列和圆柱阵列结构。

5.根据权利要求1所述的一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述ZnO盐溶液盐溶液的制备包括如下步骤：

S1、称取ZnO粉末定量，之后与碱性液混合，放置于高压釜内；

S2、并将S1中高压釜的温度设置在200－250℃，并反应1－2h；

S3、最终获得ZnO盐溶液盐溶液。

6.根据权利要求5所述的一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中ZnO粉末和碱溶液的用量比为0.5～1g：1～50mL。

7.根据权利要求1所述的一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述微通道阵列中进行自组装，从而形成纳米线阵列，其中所述ZnO盐溶液由200mg/ml的硝酸铜水溶液配制而成，且自组装的环境湿度为50％、温度为35℃以及气压为大气压。

8.根据权利要求1所述的一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在步骤五中，将基底移至管式炉，炉内通入惰性气体，以800℃加热2小时，使p型ZnO纳米线阵列分解形成金属氧化物，在所述基底上获得金属氧化物纳米线阵列。