[发明专利]一种LLC控制装置有效

专利信息
申请号: 202210702901.X 申请日: 2022-06-21
公开(公告)号: CN114825881B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 宗强;方芳;刘准;汪虎;管磊 申请(专利权)人: 深圳市芯茂微电子有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H03K19/0185;H02M1/38;H02M3/335
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李宏志
地址: 518024 广东省深圳市罗湖区清水*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 llc 控制 装置
【权利要求书】:

1.一种LLC控制装置,其特征在于,包括:第一电平转换模块(20)、第一开通关断控制模块(21);

所述第一开通关断控制模块(21)的第一输入端和第二输入端作为低压模块的输入端,用于对应接收表征第一开关管导通的导通信号和表征所述第一开关管关断的关断信号;

所述第一电平转换模块(20)的第一输入端与所述第一开通关断控制模块(21)的第一输出端连接,所述第一电平转换模块(20)的第二输入端与所述第一开通关断控制模块(21)的第二输出端连接,所述第一电平转换模块(20)的第一输入端和所述第一电平转换模块(20)的第二输入端作为高压模块的输入端,用于接收所述导通信号对应的第一电压值和所述关断信号对应的第二电压值,并对所述第一电压值和所述第二电压值进行电平转换,得到第三电压值和驱动信号,所述第三电压值均大于所述第一电压值和所述第二电压值,所述驱动信号为驱动所述第一开关管的信号;

其中,所述LLC包括:第一开关管、第二开关管、谐振电感、励磁电感、中心抽头变压器、谐振电容、第一二极管、第二二极管、输出电容、负载电阻;

所述第一开关管的驱动端作为所述LLC的第一输入端,所述第一开关管的第一端与电源连接,所述第一开关管的第二端与所述谐振电感的第一端连接,所述谐振电感的第二端与由所述励磁电感的第一端和所述中心抽头变压器原边的第一端构成的公共端连接,由所述励磁电感的第二端和所述中心抽头变压器原边的第二端构成的公共端与所述第二开关管的第二端连接,所述第二开关管的第二端接地,所述第二开关管的第一端与所述谐振电感的第一端连接,所述第二开关管的驱动端作为所述LLC的第二输入端,所述第一二极管的阳极与所述中心抽头变压器第一副边的第一端连接,所述第一二极管的阴极与所述输出电容的第一端连接,所述第二二极管的阳极与所述中心抽头变压器第二副边的第二端连接,所述第二二极管的阴极与所述第一二极管的阴极连接,所述输出电容的第二端与由所述中心抽头变压器第一副边的第二端和所述中心抽头变压器第二副边的第一端构成的公共端连接,所述负载电阻的第一端与所述输出电容的第一端连接,所述负载电阻的第二端与所述输出电容的第二端连接,其中所述第一开关管和所述第二开关管处于半桥结构的桥臂上,所述励磁电感的第二端和所述中心抽头变压器原边的第二端构成的公共端与所述谐振电容的一端连接,所述谐振电容的另一端和所述第二开关管的第二端接地连接。

2.根据权利要求1所述的LLC控制装置,其特征在于,所述第一电平转换模块(20)包括:第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一电阻、第二电阻、第一缓冲器、第二缓冲器、第一锁存器;

所述第一MOS管的栅极作为所述第一电平转换模块(20)的第一输入端,所述第一MOS管的源极接地,所述第一MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极连接,所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极连接,所述第三MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极连接,所述第四MOS管的漏极与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第二端连接,所述第六MOS管的漏极与所述第二电阻的第一端连接,所述第五MOS管的源极分别与所述第四MOS管的源极和所述第六MOS管的源极连接,所述第五MOS管的栅极与所述第六MOS管的栅极连接,所述第五MOS管的漏极与由所述第五MOS管的栅极和所述第六MOS管的栅极构成的公共端连接,由所述第五MOS管的栅极和所述第六MOS管的栅极构成的公共端与所述第二MOS管的漏极连接,所述第二MOS管的栅极作为所述第一电平转换模块(20)的所述第二输入端,所述第二MOS管的源极接地,所述第四MOS管的漏极与所述第一缓冲器的输入端连接,所述第六MOS管的漏极与所述第二缓冲器的输入端连接,所述第一缓冲器的输出端与所述第一锁存器的第一输入端连接,所述第二缓冲器的输出端与所述第一锁存器的第二输入端连接,所述第一锁存器的输出端作为所述第一电平转换模块(20)的输出端。

3.根据权利要求2所述的LLC控制装置,其特征在于,所述第一电平转换模块(20)还包括:第三电阻、第四电阻;

所述第三电阻的第一端与所述第一MOS管的源极连接,所述第三电阻的第二端接地,所述第四电阻的第一端与所述第二MOS管的源极连接,所述第四电阻的第二端接地。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市芯茂微电子有限公司,未经深圳市芯茂微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210702901.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top