[发明专利]多芯片滤波器硅基扇出封装结构以及方法

权利要求书

1.一种多芯片滤波器硅基扇出封装结构，包括间隙介质层（1）、滤波器芯片（2）、其他功能芯片（3）、硅基板（4）、钝化层（5）、第一再布线层（6）、绝缘层（7）、第二再布线层（8）与互联凸点（9）；

其特征是：在硅基板（4）的正面刻蚀出台阶形的第一凹腔（41）与平底的第二凹腔（42），在滤波器芯片（2）的正面、滤波器芯片（2）的侧面与第一凹腔（41）的上层台阶侧壁之间的间隙、在其他功能芯片（3）的正面、其他功能芯片（3）的侧面与第二凹腔（42）的侧壁之间的间隙设有间隙介质层（1），使得在滤波器芯片（2）下方形成震荡腔，滤波器芯片（2）和其他功能芯片（3）的焊片均朝下，在硅基板（4）的背面并对应滤波器芯片（2）和其他功能芯片（3）的焊片位置制作有通孔（43），在硅基板（4）的背面、通孔（43）的孔壁、硅基板（4）的正面及位于硅基板（4）的正面的间隙介质层（1）上设有钝化层（5），在通孔（43）内以及部分钝化层（5）上设有第一再布线层（6），在第一再布线层（6）外侧的钝化层（5）的背面覆盖有绝缘层（7），在第一再布线层（6）的背面连接有第二再布线层（8），在第二再布线层（8）的背面连接有互联凸点（9）。

2.如权利要求1所述的多芯片滤波器硅基扇出封装结构，其特征是：所述钝化层（5）的厚度为1-10μm，且钝化层（5）的材质为无机材料、高分子材料或者有机与无机复合材料。

3.如权利要求1所述的多芯片滤波器硅基扇出封装结构，其特征是：所述绝缘层（7）厚度为5-30μm，绝缘层（7）的材质为树脂或者聚酰亚胺材料。

4.权利要求1所述的多芯片滤波器硅基扇出封装方法，其特征是该方法包括以下步骤：

S1、提供硅基板（4），在硅基板（4）的正面刻蚀出台阶形的第一凹腔（41）与平底的第二凹腔（42）；

S2、将表面涂有有机粘合材料的滤波器芯片（2）以焊片朝下形式埋入第一凹腔（41）的上层台阶内，将表面涂有有机粘合材料的其他功能芯片（3）以焊片朝下形式埋入第二凹腔（42）内，在滤波器芯片（2）的正面、滤波器芯片（2）的侧面与第一凹腔（41）的上层台阶侧壁之间的间隙、在其他功能芯片（3）的正面、其他功能芯片（3）的侧面与第二凹腔（42）的侧壁之间的间隙填充间隙介质，形成间隙介质层（1）；

S3、在硅基板（4）的背面并对应滤波器芯片（2）及其他功能芯片（3）的焊片位置制作出通孔（43）；

S4、在硅基板（4）的背面、通孔（43）的孔壁及硅基板（4）的正面制备钝化层（5），去除滤波器芯片（2）与其他功能芯片（3）焊盘上的钝化层（5）；

S5、在通孔（43）内以及部分钝化层（5）上制备第一再布线层（6）；

S6、在钝化层（5）的部分背面覆盖绝缘层（7）；

S7、先在未被绝缘层（7）所覆盖的第一再布线层（6）的背面制备第二再布线层（8），再在第二再布线层（8）的背面上制作互联凸点（9），使第二再布线层（8）与外部实现电性连接，最后沿着切割道进行切割，得到多芯片互连电路，完成最终封装。

5.权利要求4所述的多芯片滤波器硅基扇出封装方法，其特征是：步骤S2中，滤波器芯片（2）的侧面与第一凹腔（41）的上层台阶侧壁之间以及功能芯片（3）的侧面与第二凹腔（42）的侧壁之间的间隙均为10-50um。

6.权利要求4所述的多芯片滤波器硅基扇出封装方法，其特征是：经过步骤S2的间隙介质填充后，滤波器芯片（2）正面的间隙介质层（1）、其他功能芯片（3）正面的间隙介质层（1）低于硅基板（4）的正面或与硅基板（4）的正面平齐，滤波器芯片（2）正面的间隙介质层（1）与硅基板（4）的正面之间的平面差为0-30um，其他功能芯片（3）正面的间隙介质层（1）与硅基板（4）的正面之间的平面差为0-30um。

7.权利要求4所述的多芯片滤波器硅基扇出封装方法，其特征是：步骤S3中，在硅基板（4）的背面并对应滤波器芯片（2）及其他功能芯片（3）的焊片位置采用干法蚀刻工艺制作通孔，通孔的孔径为10-50um，开孔偏移量小于10um。