[发明专利]气体传输装置、方法和半导体沉积设备在审
申请号: | 202210707996.4 | 申请日: | 2022-06-22 |
公开(公告)号: | CN114774887A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 张亚梅;柴智;陈新益 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/50;H01J37/32 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 赵兴 |
地址: | 100176 北京市北京经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 传输 装置 方法 半导体 沉积 设备 | ||
1.一种气体传输装置,其特征在于,包括:
进气传输单元,所述进气传输单元包括第一进气管道、第二进气管道、连通管道和截止阀,所述第一进气管道与所述第二进气管道之间设置所述连通管道,所述连通管道上设置所述截止阀;
喷淋头,所述喷淋头分为第一喷淋分区和第二喷淋分区,所述第一喷淋分区与所述第一进气管道连接,所述第二喷淋分区与所述第二进气管道连接,所述第一喷淋分区和所述第二喷淋分区之间彼此独立不互通。
2.根据权利要求1所述的气体传输装置,其特征在于,所述喷淋头向喷淋方向的投影为第一圆形,所述第一喷淋分区向喷淋方向的投影为第二圆形,所述第一圆形的面积大于所述第二圆形的面积,且所述第一圆形和所述第二圆形的中心重合,所述第二喷淋分区向喷淋方向的投影为围绕所述第一喷淋分区的圆环形。
3.根据权利要求2所述的气体传输装置,其特征在于,所述第二圆形面积占所述第一圆形面积的50%至60%。
4.根据权利要求1所述的气体传输装置,其特征在于,所述喷淋头包括挡板,所述挡板将所述喷淋头分为所述第一喷淋分区和所述第二喷淋分区。
5.根据权利要求1所述的气体传输装置,其特征在于,所述喷淋头包括匀气板与匀气环,所述匀气板设置于所述第一喷淋分区,所述匀气板为所述第一喷淋分区提供均匀气体,所述匀气板上开设第一匀气通孔;
所述匀气环设置于所述第二喷淋分区,所述匀气环为所述第二喷淋分区提供均匀气体,所述匀气环上开设第二匀气通孔。
6.根据权利要求1所述的气体传输装置,其特征在于,所述第一喷淋分区包括第一喷淋分区通孔,所述第二喷淋分区包括第二喷淋分区通孔,所述第一喷淋分区通孔的直径D1满足0.2mm≤D1≤0.4mm,所述第二喷淋分区通孔的直径D2满足0.2mm≤D2≤0.4mm。
7.根据权利要求6所述的气体传输装置,其特征在于,所述第一喷淋分区通孔和所述第二喷淋分区通孔的形状为喇叭形或直筒形。
8.一种气体传输方法,基于权利要求1-7任一项所述的气体传输装置,其特征在于,包括如下步骤:
沉积时,截止阀关闭,第一组气体和第三组气体通过所述第一进气管道向所述第一喷淋分区供气,第三组气体通过所述第二进气管道向所述第二喷淋分区供气;
清洁时,截止阀开启,第二组气体通过所述第二进气管道通入,第三组气体通过所述第一进气管道通入,所述连通管道实现所述第二组气体和所述第三组气体的混合流动。
9.根据权利要求8所述的气体传输方法,其特征在于,所述第一组气体为沉积反应气,所述第二组气体为清洁反应气,所述第三组气体为载气。
10.一种半导体沉积设备,其特征在于,包括:腔室,加热盘以及至少具有一组如权利要求1-7中任一项所述的气体传输装置:
所述腔室,至少设置一个,所述气体传输装置与所述腔室一一对应;
所述气体传输装置安装于所述腔室顶部,所述气体传输装置在沉积时向所述腔室传输第一组气体和第三组气体,在清洁时向所述腔室传输第二组气体和第三组气体;
所述加热盘位于所述腔室内部,设置于所述喷淋头下方。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的