[发明专利]一种平面型功率器件及其制备方法

说明书

本申请属于半导体技术领域，提供了一种平面型功率器件及其制备方法，平面型功率器件包括：半导体衬底、N型阱区、P型阱区、栅极氧化层、栅极金属层、源极区、隔离区、漏极区以及反型层。N型阱区和P型阱区均位于半导体衬底上；栅极氧化层位于N型阱区和P型阱区上；栅极金属层位于栅极氧化层上；源极区与栅极氧化层接触；隔离区设于漏极区与栅极氧化层之间，反型层设于N型阱区与漏极区之间；且反型层的掺杂类型与漏极区的掺杂类型不同。本申请通过在漏极区和N型阱区之间设置反型层，如此操作可以在不增大平面型功率器件的基础上提升平面型功率器件的耐压能力，解决了现有的平面型功率器件存在体积较大，耐压性能差的问题。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种平面型功率器件及其制备方法。

背景技术

功率器件由于耐压的特殊性质，在很多领域有着广泛的应用，例如，磁盘驱动，汽车电子等等方面。众所周知，平面型的功率器件相较于垂直型的器件有低制造成本的优势，然而其耐压与器件性能始终无法兼顾，现有的平面型功率器件的耐压能力是靠增加源极或者漏极的距离来提升的，使得漏极的导通阻抗同时得到提升。但是，在现在的功率器件小型化的趋势下，只是单纯的依靠增加漏极与源极的距离来提升功率器件的耐压性能极大的限制了功率器件的发展。

由此可见，现有的平面型功率器件存在体积较大，耐压性能差的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种平面型功率器件及其制备方法，可以解决现有的平面型功率器件存在体积较大，耐压性能差的问题。

本申请实施例的第一方面提供了一种平面型功率器件，所述平面型功率器件包括：

半导体衬底；

N型阱区和P型阱区，所述N型阱区和所述P型阱区接触，且均位于所述半导体衬底上；

栅极氧化层，位于所述N型阱区和所述P型阱区上；

栅极金属层，位于所述栅极氧化层上；

源极区，位于所述P型阱区上，且与所述栅极氧化层接触；

隔离区、漏极区和反型层，所述隔离区、所述漏极区和所述反型层设于所述N型阱区上，所述隔离区设于所述漏极区与所述栅极氧化层之间，所述反型层设于所述N型阱区与所述漏极区之间，且所述反型层与所述隔离区接触；

其中，所述反型层的掺杂类型与所述漏极区的掺杂类型不同。

在一个实施例中，所述反型层包括：第一反型区和第二反型区；

所述第一反型区和所述第二反型区分别设于所述N型阱区的边缘区域，且所述第一反型区和所述第二反型区互不接触。

在一个实施例中，所述第一反型区和所述第二反型区的宽度之和小于所述漏极区的宽度。

在一个实施例中，所述第一反型区和所述第二反型区的宽度范围均为所述漏极区的宽度的10％-30％。

在一个实施例中，所述第一反型区和所述第二反型区的长度均大于所述漏极区的长度。

在一个实施例中，所述第一反型区和所述第二反型区的厚度均小于所述漏极区的厚度。

在一个实施例中，所述第一反型区和所述第二反型区对称设置。

在一个实施例中，所述N型阱区和所述P型阱区的宽度相同，所述N型阱区和所述P型阱区的厚度相同。

本申请实施例的第二方面提供了一种平面型功率器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成N型阱区和P型阱区；其中，所述N型阱区和所述P型阱区接触；