[发明专利]高效率小体积AC-DC电源控制器模块在审

专利信息
申请号: 202210712448.0 申请日: 2022-06-22
公开(公告)号: CN115051579A 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 朱宁;王强 申请(专利权)人: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00;H02M1/42;H02M1/08;H02M1/00;H01L25/16
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 韩凤
地址: 214101 江苏省无锡市锡山*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高效率 体积 ac dc 电源 控制器 模块
【权利要求书】:

1.高效率小体积AC-DC电源控制器模块,包括开关输出引脚SW、电源引脚VCC、反馈电压信号引脚FB、地电压引脚VSS,其特征是,该模块内部包括:第一封装基板(31)、第二封装基板(32),在第一封装基板(31)上焊接有高压功率MOSFET晶体管(301),在第二封装基板(32)上焊接有AC-DC控制芯片(302);所述高压功率MOSFET晶体管(301)的漏极连接到模块的开关输出引脚SW,高压功率MOSFET晶体管(301)的栅极连接到AC-DC控制芯片(302)的栅驱动引脚VO,高压功率MOSFET晶体管(301)的源极连接到AC-DC控制芯片(302)的输出电流信号引脚CS;所述AC-DC控制芯片(302)的高压电源引脚连接到模块的电源引脚VCC,AC-DC控制芯片(302)的反馈电压信号引脚连接到模块的反馈电压信号引脚FB,AC-DC控制芯片(302)的地电压引脚连接到模块的地电压引脚VSS。

2.根据权利要求1所述的高效率小体积AC-DC电源控制器模块,其特征是,当高压功率MOSFET晶体管(301)的源极位于芯片反面,则高压功率MOSFET晶体管(301)的源极通过焊锡连接到第一封装基板(31),第一封装基板(31)通过引线连接到AC-DC控制芯片(302)的输出电流信号引脚CS,即高压功率MOSFET晶体管(301)的源极经过导电性良好的第一封装基板(31)间接连接到AC-DC控制芯片(302)的输出电流信号引脚CS。

3.根据权利要求1所述的高效率小体积AC-DC电源控制器模块,其特征是,所述高压功率MOSFET晶体管(301)采用单颗芯片,或采用多颗芯片并联实现;当所述高压功率MOSFET晶体管(301)采用多颗芯片并联实现时,需要使用导电基板进行并联连接,每个MOSFET晶体管芯片的栅极均连接到共同的导电基板,经过导电基板连接AC-DC控制芯片(302)的栅驱动引脚VO;每个MOSFET晶体管芯片的源极连接到共同的导电基板,经过导电基板连接AC-DC控制芯片(302)的输出电流信号引脚CS,或者每个MOSFET晶体管芯片的源极通过焊锡连接到第一封装基板(31),第一封装基板(31)再通过引线连接到AC-DC控制芯片(302)的输出电流信号引脚CS。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瀚昕微电子(无锡)有限公司,未经瀚昕微电子(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210712448.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top