[发明专利]受光器件、受发光装置在审
申请号: | 202210713730.0 | 申请日: | 2022-06-22 |
公开(公告)号: | CN115528196A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 新仓泰裕;久保田大介;鎌田太介;川上祥子;夛田杏奈;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 发光 装置 | ||
1.一种受光器件,包括:
一对电极间的受光层,
其中,所述受光层包括活性层、缓冲层及电子传输层,
所述缓冲层位于所述活性层和所述电子传输层之间并与所述活性层接触,
并且,所述缓冲层包含具有吸电子基团的有机化合物。
2.一种受光器件,包括:
一对电极间的受光层,
其中,所述受光层包括活性层、缓冲层及电子传输层,
所述缓冲层位于所述活性层和所述电子传输层之间并与所述活性层接触,
并且,所述缓冲层包含具有吸电子基团的杂芳族化合物。
3.一种受光器件,包括:
一对电极间的受光层,
其中,所述受光层包括活性层、缓冲层及电子传输层,
所述缓冲层位于所述活性层和所述电子传输层之间并与所述活性层接触,
并且,所述缓冲层包含具有多个氰基的杂芳族化合物。
4.根据权利要求2或3所述的受光器件,
其中所述杂芳族化合物具有稠合杂芳环。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的受光器件,
其中所述电子传输层包含第一有机化合物,
并且所述第一有机化合物为缺π电子型杂芳族化合物。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的受光器件,
其中所述电子传输层包含第一有机化合物,
并且所述第一有机化合物为包含喹啉骨架的金属配合物、包含苯并喹啉骨架的金属配合物、包含噁唑骨架的金属配合物、包含噻唑骨架的金属配合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、菲咯啉衍生物、包含喹啉配体的喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物以及嘧啶衍生物中的一个。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的受光器件,
其中所述电子传输层包含第一有机化合物,
并且所述第一有机化合物为具有三嗪环的化合物。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的受光器件,
其中所述电子传输层包含第一有机化合物,
所述第一有机化合物为由通式(Ge-1)表示的有机化合物:
Ar1至Ar3分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为6以上且30以下的芳基和取代或未取代的碳原子数为2至30的杂芳基中的一个,
并且X1及X2分别独立地表示碳和氮中的一个,在X1及X2中的一个或两个为碳的情况下,所述碳键合于氢、取代或未取代的碳原子数为6以上且30以下的芳基、取代或未取代的碳原子数为2至30的杂芳基、取代或未取代的碳原子数为1至20的烷基和取代或未取代的碳原子数为1至20的环烷基中的一个。
9.一种受光器件,包括:
一对电极间的受光层,
其中,所述受光层包括活性层、缓冲层及电子传输层,
所述缓冲层位于所述活性层和所述电子传输层之间并与所述活性层接触,
所述活性层包含第一有机化合物,
所述缓冲层包含第二有机化合物,
所述电子传输层包含第三有机化合物,
并且,所述第二有机化合物的LUMO能级比所述第一有机化合物的LUMO能级高且比所述第三有机化合物的LUMO能级低。
10.根据权利要求9所述的受光器件,
其中所述第二有机化合物的所述LUMO能级和所述第一有机化合物的LUMO能级之差为0.5eV以下。
11.根据权利要求9所述的受光器件,
其中所述第二有机化合物的所述LUMO能级和所述第三有机化合物的所述LUMO能级之差为1.0eV以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210713730.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择