[发明专利]非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法在审
申请号: | 202210713815.9 | 申请日: | 2022-06-22 |
公开(公告)号: | CN115602233A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 朴周龙;朴相元;申东珍;全秀昶;崔胜涌 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性存储器 包括 存储 设备 操作方法 | ||
1.一种非易失性存储器件,包括:
元区域,所述元区域具有存储第一初始数据的第一区域和存储彼此不同的第二初始数据的多个第二区域;
用户区域,所述用户区域被配置为存储用户数据;
初始化寄存器,所述初始化寄存器被配置为存储所述第一初始数据或者全部或部分地存储所述第二初始数据;以及
控制逻辑,所述控制逻辑被配置为:通过控制引脚来接收命令锁存使能信号、地址锁存使能信号、芯片使能信号、写入使能信号、读取使能信号和数据选通信号,并根据所述芯片使能信号和所述地址锁存使能信号在所述写入使能信号的边沿锁存命令或地址,以使用存储在所述初始化寄存器中的所述第一初始数据和所述第二初始数据执行读取操作、编程操作或擦除操作。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,在上电操作期间,从外部接收初始数据读取命令。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件,其中,所述控制逻辑进一步被配置为响应于所述初始数据读取命令读取存储在所述第一区域中的所述第一初始数据,并且将所读取的所述第一初始数据存储在所述初始化寄存器中。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件,其中,所述控制逻辑进一步被配置为:响应于所述初始数据读取命令来读取从所述多个第二区域当中选择的第二区域中的所述第二初始数据,并将所读取的所述第二初始数据存储在所述初始化寄存器的一部分中。
5.根据权利要求3所述的非易失性存储器件,其中,所述控制逻辑进一步被配置为:响应于所述初始数据读取命令来读取存储在所述多个第二区域中的彼此不同的所述第二初始数据,并将所读取的彼此不同的所述第二初始数据之一存储在所述初始化寄存器中。
6.根据权利要求2所述的非易失性存储器件,其中,所述初始数据读取命令包括第一初始数据读取命令和第二初始数据读取命令。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件,其中,所述控制逻辑进一步被配置为:响应于所述第一初始数据读取命令来读取存储在所述第一区域中的所述第一初始数据,并且响应于所述第二初始数据读取命令来读取存储在所述多个第二区域之一中的所述第二初始数据。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,所述元区域包括多个元块,每一个所述元块具有连接到多条字线和多条位线的多个存储单元,
其中,所述多个元块中的一个元块包括所述第一区域和所述多个第二区域中的至少一个第二区域。
9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,所述元区域包括多个元块,每一个所述元块具有连接到多条字线和多条位线的多个存储单元,
其中,所述多个元块中的至少两个元块各自包括所述第一区域和所述多个第二区域中的至少一个第二区域。
10.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,所述第一初始数据包括与所述读取操作、所述编程操作或所述擦除操作有关的至少一个性能参数,并且
所述第二初始数据包括与所述读取操作、所述编程操作或所述擦除操作有关的至少一个可靠性参数。
11.一种存储设备的操作方法,所述存储设备具有非易失性存储器件和控制所述非易失性存储器件的控制器,所述操作方法包括:
通过供应电力来执行上电操作;
在所述上电操作之后选择应用用途;
根据所述应用用途来读取初始数据;以及
利用所读取的初始数据来设置所述非易失性存储器件的寄存器,
其中,所述的根据所述应用用途来读取初始数据包括:
从所述非易失性存储器件读取与核心操作有关的第一初始数据;以及
根据所述应用用途从所述非易失性存储器件读取对应于所述核心操作的第二初始数据。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括向所述非易失性存储器件发送初始化操作请求。
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