[发明专利]一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底改性处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供反应溶液，所述反应溶液包括含有钠离子的第二反应物；

S2：将所述反应溶液均匀涂布于衬底的表面，然后将多个衬底进行叠置，所述衬底的至少一个表面涂覆有所述反应溶液，所述衬底为蓝宝石衬底；

S3：所述第二反应物经过化学反应后生成氧化钠，氧化钠能够与衬底中的氧化铝发生反应生成偏铝酸钠；

S4：将反应后的叠置的多个衬底放入水中，偏铝酸钠溶于水后实现相邻衬底之间的分离；

所述反应溶液还包括含有钙离子的第一反应物，所述第一反应物经过化学反应后生成氧化钙，氧化钙能够与氧化铝反应生成铝酸钙，所述铝酸钙形成于所述衬底涂覆有反应溶液的表面，从而形成多晶层，反应式为：CaO+Al₂O₃→mCaO·nAl₂O₃；

所述第一反应物为醋酸钙，生成氧化钙的反应式为：

(CH₃COO)₂Ca→CaCO₃+CH₃COCH₃↑，

CaCO3→CaO+CO2↑；

所述第二反应物为醋酸钠，生成氧化钠的反应式为：

2CH₃COONa→Na₂CO₃+CH₃COCH₃↑，

Na₂CO₃→Na₂O+CO₂↑。

2.根据权利要求1所述的衬底改性处理方法，氧化钙与氧化铝反应生成铝酸钙，所述铝酸钙形成于所述衬底涂覆有反应溶液的表面，从而形成多晶层，反应式为：CaO+Al₂O₃→mCaO·nAl₂O₃，其特征在于，反应温度为1000℃。

3.根据权利要求1所述的衬底改性处理方法，其特征在于，所述第一反应物与第二反应物在常温25℃下彼此之间不会发生化学反应。

4.根据权利要求1所述的衬底改性处理方法，其特征在于，生成氧化钙的反应式为：

(CH₃COO)₂Ca→CaCO₃+CH₃COCH₃↑，反应温度为160℃；

CaCO₃→CaO+CO₂↑，反应温度为800℃。

5.根据权利要求1所述的衬底改性处理方法，其特征在于，步骤S3中，所述偏铝酸钠又能够分解为氧化钠、以及呈疏松状态的氧化铝中间产物，反应式为2NaAlO₂→Na₂O+Al₂O₃，反应温度为1000℃；所述氧化钙与所述衬底中的氧化铝及所述氧化铝中间产物进行反应生成所述多晶层。

6.根据权利要求1所述的衬底改性处理方法，其特征在于，所述衬底表面的氧化钠在步骤S4中，还能进一步溶于水生成氢氧化钠，从而促进相邻衬底之间的分离。

7.根据权利要求1所述的衬底改性处理方法，其特征在于，步骤S3中所述氧化钠与衬底中的氧化铝发生反应时，在衬底表面形成微凹坑。