[发明专利]一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法

权利要求书

1.一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，其特征在于，包括：

利用X射线衍射仪对碳化硅样品进行逐点的X射线摇摆曲线面扫描，摇摆曲线面的X射线的晶面入射角范围至少覆盖对应的碳化硅缺陷检测角度和碳化硅多型检测角度；

获取碳化硅样品每一个检测点的X射线的摇摆曲线，基于摇摆曲线的特征来检测碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布；

根据碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布分析不同晶型对缺陷的影响。

2.根据权利要求1所述的一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，其特征在于，所述逐点扫描的X射线为点焦斑，所述点焦斑的尺寸小于等于0.4mm×0.4mm。

3.根据权利要求2所述的一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，其特征在于，X射线衍射仪生成线焦斑，在X射线衍射仪及碳化硅样品之间加入具有点状孔的铅窗板，使得X射线照射到碳化硅样品表面为点焦斑。

4.根据权利要求2所述的一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，其特征在于，以0.01mm步长沿着同一个方向移动装载碳化硅样品的样品台，逐点测试一次摇摆曲线。

5.根据权利要求1所述的一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，其特征在于，所述摇摆曲线的特征包括衍射峰的峰位和半高宽，通过判断某个检测点的摇摆曲线的衍射峰的峰位和半高宽，来判断碳化硅样品的缺陷分布及不同晶型分布。

6.根据权利要求5所述的一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，其特征在于，在碳化硅缺陷检测角度，检测点的摇摆曲线发生峰位偏移，或者衍射峰的半高宽明显宽化，即可判定该区域存在缺陷；当摇摆曲线沿着某一方向或者在一定区域范围内都连续呈现出异常，根据异常区域的特征和大小，即可判定缺陷类型。

7.根据权利要求5所述的一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，其特征在于，在碳化硅多型检测角度，当检测点的摇摆曲线发生峰位偏移，通过衍射峰的峰位来判定晶型的类型。

8.根据权利要求1所述的一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，其特征在于，所述碳化硅样品的晶型为4H，检测出的不同晶型为4H, 6H和15R其中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，其特征在于，当所述碳化硅样品的晶型为4H，晶圆面为(0004)面斜4°切割，碳化硅缺陷检测角度为21.835°，4H、6H和15R三种多型的碳化硅多型检测角度分别为56.05°、54.015°和51.619°。

10.根据权利要求1所述的一种X射线衍射仪检测碳化硅缺陷的方法，其特征在于，所述碳化硅样品的缺陷包括裂纹、空洞、微管、炭包裹物、螺位错、刃位错和贯穿型位错其中的一种或几种。