[发明专利]一种人工石墨导热膜及其制备方法有效
申请号: | 202210716033.0 | 申请日: | 2022-06-23 |
公开(公告)号: | CN114956068B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 刘贺;杨继明;曾彩萍;曹义;朱凡;金鹰 | 申请(专利权)人: | 中天电子材料有限公司 |
主分类号: | C01B32/205 | 分类号: | C01B32/205;H05K7/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 姚亮;韩蕾 |
地址: | 226010 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 人工 石墨 导热 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种人工石墨导热膜及其制备方法,所述方法包括以下步骤:(1)将富勒烯加入第一溶剂中混合分散,得到富勒烯分散液;(2)向第二溶剂中加入二胺单体、二酐单体、无机填料及所述富勒烯分散液,经缩聚反应生成树脂;(3)将所述聚酰胺酸树脂流延,经亚胺化处理与拉伸,得到复合薄膜;(4)将所述复合薄膜依次经碳化和石墨化处理,再经压延和裁切,得到人工石墨导热膜;其中,所述富勒烯的添加量占所述人工石墨导热膜总质量的比例m与所述人工石墨导热膜的厚度L的关系为:其中,m的单位为%,L的单位为μm。所制得的人工石墨导热膜外观良好、拉伸强度与导热率高。
技术领域
本发明涉及高分子材料领域,尤其涉及一种人工石墨导热膜及其制备方法。
背景技术
随着信息技术的发展,电子设备的小型化趋势愈发明显,然而设备功率却不断增大,因此对电子器件散热效率的要求不断提高。石墨膜具有极高的导热性,较低的密度,良好的材料稳定性,在微电子封装和集成领域具有广阔的应用前景,目前石墨导热膜的制备工艺复杂、成本高,应用受到限制。聚酰亚胺(PI)膜经高温后能够获得接近于单晶石墨结构的高定向石墨膜,导热性能优异,目前已成为解决电子产品散热问题的核心材料之一。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的在于提供一种人工石墨导热膜及其制备方法,该人工石墨导热膜外观良好、拉伸强度与导热率高。
为了达到上述目的,本发明提供了一种人工石墨导热膜的制备方法,其包括以下步骤:
(1)制备富勒烯分散液:将富勒烯加入第一溶剂中混合分散,得到富勒烯分散液;
(2)制备树脂:向第二溶剂中加入二胺单体、二酐单体、无机填料及所述富勒烯分散液,经缩聚反应生成树脂;
(3)制备复合薄膜:将所述树脂进行流延、亚胺化处理与拉伸,得到复合薄膜;
(4)制备人工石墨导热膜:将所述复合薄膜依次经碳化和石墨化处理,再经压延和裁切,得到人工石墨导热膜;
其中,所述富勒烯的添加量占所述人工石墨导热膜总质量的比例m(单位为%)与所述人工石墨导热膜的厚度L(单位为μm)的关系为:
根据本发明的具体实施方案,优选地,所述第一溶剂与第二溶剂为N,N'-二甲基甲酰胺、N,N'-二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮中的一种或两种以上的组合。
根据本发明的具体实施方案,优选地,所述二胺单体为对苯二胺、4,4'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基二苯甲酮及3,4'-二氨基二苯醚中的一种或两种以上的组合,更优选为4,4'-二氨基二苯醚。
根据本发明的具体实施方案,优选地,所述二酐单体为均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐、2,3,3',4'-二苯醚四甲酸二酐及3,3',4,4'-二苯甲酮四酸二酐中的一种或两种以上的组合,更优选为均苯四甲酸二酐。
根据本发明的具体实施方案,优选地,在步骤(2)中,所述无机填料包括无机盐、氧化物、氮化物及碳化物中的一种或两种以上的组合。
根据本发明的具体实施方案,优选地,在步骤(2)中,所述无机填料为磷酸氢钙,更优选地,所述磷酸氢钙的粒径为0.8-2μm。
根据本发明的具体实施方案,优选地,所述人工石墨导热膜的厚度为50μm,所述富勒烯的添加量占所述人工石墨导热膜总质量的比例为0.14%-0.35%。
根据本发明的具体实施方案,优选地,在步骤(2)中,向所述第二溶剂中加入的所述二胺单体、二酐单体和无机填料的固体含量为15-30%。
根据本发明的具体实施方案,优选地,在步骤(2)中,所述二胺单体和二酐单体的摩尔比为1:(0.8-1.2),优选为1:1。
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