[发明专利]一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法有效
申请号: | 202210716285.3 | 申请日: | 2022-06-23 |
公开(公告)号: | CN114836836B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 周伟家;辛笛;孙德辉;张运武;刘晓燕;赵莉莉;王东周;刘宏 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C30B33/02 | 分类号: | C30B33/02;C30B29/30 |
代理公司: | 山东誉丰合创知识产权代理有限公司 37384 | 代理人: | 刘妍 |
地址: | 250022 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铌酸锂 晶片 钽酸锂 局域 快速 方法 | ||
1.一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将抛光后的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片置于密闭装置中,然后充满还原性气体;
(2)按照设定好的图形,激光欠焦照射铌酸锂晶片或钽酸锂晶片,通入惰性气体排出还原性气体,得到局域黑化的铌酸锂晶片或局域黑化的钽酸锂晶片。
2.根据权利要求1所述的铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法,其特征在于,步骤(1)中,所述密闭装置为光热反应釜;所述光热反应釜上设有透光窗,所述透光窗的材质为石英玻璃或硒化锌玻璃。
3.根据权利要求1所述的铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法,其特征在于,步骤(1)中,所述还原性气体为氢气、甲烷或氩氢混合气。
4.根据权利要求1所述的铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法,其特征在于,步骤(2)中,所述激光欠焦的参数为:激光波长为1064nm,激光功率为4~10 W,欠焦距离为0.50~2.50 cm,扫速为100~600 mm/s。
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