[发明专利]指纹识别装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202210718749.4 申请日: 2022-06-23
公开(公告)号: CN115100698A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 张丹妮 申请(专利权)人: 业泓科技(成都)有限公司;业泓科技股份有限公司
主分类号: G06V40/13 分类号: G06V40/13;H01L27/12
代理公司: 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 代理人: 温国杰
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 指纹识别 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种指纹识别装置的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供第一薄膜晶体管基板、第一可剥离胶、封装材、第二薄膜晶体管基板以及第二可剥离胶,所述第一薄膜晶体管基板包括有第一基板以及第一感测组件,所述第一感测组件的一侧贴靠于所述第一基板,所述第一感测组件的另一侧具有第一侦测活动区,所述第二薄膜晶体管基板包括有第二基板以及第二感测组件,该第二感测组件的一侧贴靠于所述第二基板,所述第二感测组件的另一侧具有第二侦测活动区;

将所述第一可剥离胶涂布于所述第一侦测活动区,使得所述第一可剥离胶贴靠于所述第一侦测活动区,同时,将所述第二可剥离胶涂布于所述第二侦测活动区,使得所述第二可剥离胶贴靠于所述第二侦测活动区;

将所述封装材涂布于所述第一基板上,且所述封装材沿所述第一基板的外缘围绕;

将所述第二薄膜晶体管基板设置于所述第一薄膜晶体管基板上,使得所述第一可剥离胶与所述第二可剥离胶相互贴靠,同时所述封装材的另一端位于所述第二基板上,所述封装材沿所述第二基板的外缘围绕,形成指纹识别装置的堆栈结构;

对所述堆栈结构进行减薄工艺,将所述第一基板进行蚀刻作业后达到第四厚度,以及将所述第二基板进行蚀刻作业后达到第五厚度;

将进行减薄工艺后的所述堆栈结构置入碱液中,于80℃的所述碱液中,对所述封装材进行超声波振荡作业并且剥除后,将薄化后带有第一可剥离胶的第一薄膜晶体管基板以及薄化后带有第二可剥离胶的第二薄膜晶体管基板以手动或辅助治具进行分离,使得第一可剥离胶以及第二可剥离胶分别从第一薄膜晶体管基板以及第二薄膜晶体管基板移除;

将进行减薄工艺后的所述第一薄膜晶体管基板以及进行减薄工艺后的所述第二薄膜晶体管基板取出;

将进行减薄工艺后的所述第一薄膜晶体管基板进行切割,取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板;

将进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板进行切割,取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。

2.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法,其特征在于,所述第一可剥离胶为加热后固化成型的胶体,且所述第一可剥离胶为聚氯乙烯类材质,所述胶体耐碱液且不侵蚀所述第一薄膜晶体管基板,用于保护所述第一侦测活动区。

3.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法,其特征在于,所述第二可剥离胶为加热后固化成型的胶体,且所述第二可剥离胶为聚氯乙烯类材质,所述胶体耐碱液且不侵蚀所述第二薄膜晶体管基板,用于保护所述第二侦测活动区。

4.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法,其特征在于,当所述指纹识别装置的堆栈结构在10%氢氧化钾的所述碱液中,以超声波振荡50至70分钟之间,可将所述封装材进行分离。

5.如权利要求4所述指纹识别装置的制造方法,其特征在于,所述碱液的温度介于70度至90度之间。

6.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法,其特征在于,所述封装材为碱解离型的封装材,其材质为亚克力树脂类或丙烯酸酯类,所述封装材为紫外光固化胶、可耐氢氟酸以及硫酸侵蚀。

7.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法,其特征在于,所述第一可剥离胶具有第一厚度,以及所述第二可剥离胶具有第二厚度,所述第一厚度以及所述第二厚度皆为40至50微米之间。

8.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法,其特征在于,所述封装材具有宽度以及第三厚度,所述宽度为3至4毫米之间,以及所述第三厚度为180至200微米之间。

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