[发明专利]一种半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，其内形成有第一掺杂类型的阱区，所述第一掺杂类型的阱区内顶部区域形成有沿第一方向间隔排布的第二类型重掺杂区；

器件隔离结构，位于相邻所述第二类型重掺杂区之间；

其中，所述器件隔离结构包括立柱，及位于所述立柱沿所述第一方向相对两侧的侧墙。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件隔离结构在所述衬底上表面的正投影覆盖相邻所述第二类型重掺杂区之间的间隙且与所述间隙无重叠。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述立柱的材料包括多晶硅；

所述侧墙的材料包括氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的至少一种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第一沟槽隔离结构，形成于所述阱区内沿所述第一方向相对两侧；各所述第二类型重掺杂区位于相邻所述第一沟槽隔离结构之间；

第一类型重掺杂区，位于所述阱区内，且位于所述第一沟槽隔离结构沿所述第一方向远离所述第二类型重掺杂区的一侧。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

隔离层，位于所述衬底上且覆盖所述阱区；

第一互联结构，贯穿所述隔离层且底面接触所述第二类型重掺杂区的顶面；

第二互联结构，贯穿所述隔离层且底面接触所述第一类型重掺杂区的顶面。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第二沟槽隔离结构，形成于所述衬底内，位于所述第一类型重掺杂区沿所述第一方向远离所述第二类型重掺杂区的一侧，且至少部分位于所述阱区内；

体区，形成于所述衬底内，且位于所述第二沟槽隔离结构沿所述第一方向远离所述第二类型重掺杂区的一侧；

第三互联结构，贯穿所述隔离层且底面接触所述体区的顶面。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

外围区沟槽隔离结构，形成于所述衬底内，与所述第一掺杂类型的阱区邻接，且位于所述体区沿所述第一方向远离所述第二类型重掺杂区的一侧。

8.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，其内形成有第一掺杂类型的阱区，所述阱区内形成有沿第一方向间隔排布的第一沟槽隔离结构；

于所述阱区上相邻所述第一沟槽隔离结构之间形成至少两个间隔排布的立柱，并于所述立柱沿所述第一方向相对两侧的侧壁形成侧墙；

采用离子注入工艺于所述阱区内顶部区域形成沿第一方向间隔排布的第二类型重掺杂区，所述第二类型重掺杂区位于所述第一沟槽隔离结构与所述侧墙之间及相邻所述侧墙之间。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底内还形成有第二沟槽隔离结构及外围区沟槽隔离结构；所述第二沟槽隔离结构位于所述第一沟槽隔离结构沿所述第一方向远离所述第二类型重掺杂区的一侧，且至少部分位于所述阱区内；所述外围区沟槽隔离结构位于所述衬底内，且位于所述第二沟槽隔离结构远离所述第一沟槽隔离结构的一侧；所述方法还包括：

采用离子注入工艺于所述第一沟槽隔离结构与所述第二沟槽隔离结构之间阱区内顶部形成第一类型重掺杂区；

采用离子注入工艺于所述外围区沟槽隔离结构、所述第二沟槽隔离结构之间的衬底内顶部形成体区。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

于所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一掺杂类型的阱区；

于所述隔离层内形成第一互联结构、第二互联结构及第三互联结构中至少一个；所述第一互联结构贯穿所述隔离层且底面接触所述第二类型重掺杂区的顶面；所述第二互联结构贯穿所述隔离层且底面接触所述第一类型重掺杂区的顶面；所述第三互联结构贯穿所述隔离层且底面接触所述体区的顶面。