[发明专利]一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层改质方法及设备

权利要求书

1.一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层改质方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将研磨抛光后的直径小于等于250mm，厚度100mm的SiC晶圆锭通过多孔陶瓷吸盘，固定到大理石平台上，平台的平整度达到0级。

S2、激光改质：选用红外激光器，光束的波长为1064nm激光，从SiC晶圆锭的上表面进行入射，在焦平面上形成直径10mm的光斑，以切割N片770μm厚度的晶圆片为例，以晶圆锭上表面向下N×850μm为激光聚焦的焦平面，然后激光束带动光斑扫描整个焦平面，使单晶态转变为多晶态，完成改质过程；光斑水平方向移动速度50mm/s，历时100s完成改质。

S3、激光器向上移动一个晶圆片的厚度。以770μm厚度的晶圆片为例，激光器向上移动850μm。使聚焦平面深度改为(N-1)×850μm，然后激光束扫描整个焦平面重复2步骤，完成第2层SiC晶圆锭改质。

S4、重复3步骤，直到完成N层SiC晶圆锭改质。

2.一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层改质设备，包括工作平台(1)，其特征在于：所述工作平台(1)上放置有碳化硅晶圆锭(2)，所述碳化硅晶圆锭(2)上端位置处设置有激光发生器(3)，所述激光发生器(3)在碳化硅晶圆锭(2)内照射区域为改质层(5)，所述激光发生器(3)照射改质层(5)的范围为照射区域(4)，所述激光发生器(3)照射改质层(5)上形成改质光斑(6)。

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层改质设备，其特征在于：所述碳化硅晶圆锭(2)高度设置为100mm，所述碳化硅晶圆锭(2)底端通过多孔陶瓷吸盘吸附在工作平台(1)上。

4.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层改质设备，其特征在于：所述碳化硅晶圆锭(2)内壁底端到开口的距离设置为10×850μm，所述改质激光器(4)带动照射区域(4)移动一次的距离设置为850μm。