[发明专利]一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺

权利要求书

1.一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，制备高纯度砷化镓多晶；

第二步，半绝缘砷化镓单晶的生长：将第一步制备的高纯砷化镓多晶，按照一定的配料工艺装入热解氮化硼坩埚中，再采用垂直梯度凝固法，由计算机精确控制热场进行缓慢降温，生长界面由熔体下端逐渐向上移动，完成晶体生长，获得半绝缘砷化镓单晶棒；

第三步，砷化镓晶片的制备：采用切割设备将砷化镓单晶棒切成一定厚度的砷化镓晶片,并保证晶向偏离度、总厚度变化、翘曲度和弯曲度等参数的精度；

第四步，砷化镓衬底材料的制备：利用抛光设备对砷化镓晶片进行抛光，最后使用清洗设备对砷化镓晶片进行清洗，即可制得表面高纯度的半绝缘砷化镓衬底材料。

2.根据权利要求1所述的一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺，其特征在于，所述第一步中，通过水平布里支曼法制备高纯度砷化镓多晶。

3.根据权利要求1所述的一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺，其特征在于，所述第二步中，热解氮化硼坩埚中需要添加高纯石墨进行碳补偿。

4.根据权利要求1所述的一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺，其特征在于，所述第三步中，砷化镓晶片的制备，切割设备为金刚石多线锯切机。

5.根据权利要求1所述的一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺，其特征在于，所述第四步中，抛光设备为双面抛光机设备。

6.根据权利要求1所述的一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺，其特征在于，还包括对制备得到的砷化镓衬底材料进行真空包装。