[发明专利]硅通孔测试结构和测试方法在审
| 申请号： | 202210733014.9 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN115116876A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 施长治 | 申请（专利权）人： | 上海联影微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 乔改利 |
| 地址： | 201899 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 测试 结构 方法 | ||
1.一种硅通孔衬底噪声的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：第一激励硅通孔、第二激励硅通孔和至少一组测试接触区；
所述第一激励硅通孔和第二激励硅通孔均内嵌于测试晶圆衬底正面，所述第一激励硅通孔和所述第二激励硅通孔通过电学连接形成激励硅通孔对；各所述测试接触区在所述激励硅通孔周边；
对所述激励硅通孔对施加脉冲信号，测量各所述测试接触区的对地响应信号确定硅通孔衬底噪声。
2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述脉冲信号为方波脉冲。
3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，每组测试接触区均包括：正面测试接触区和/或背面测试接触区；
所述正面测试接触区制备在所述测试晶圆衬底的正面；所述背面测试接触区制备在所述测试晶圆衬底的背面与所述正面测试接触区相对应的位置。
4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：内嵌在所述测试晶圆衬底的正面的至少一个硅通孔簇；
所述至少一个硅通孔簇中的任意一个硅通孔簇包括至少两个并联的硅通孔；所述至少两个并联的硅通孔的顶部通过金属延伸电极连接，所述至少两个并联的硅通孔的底部通过金属延伸电极连接到所述背面测试接触区。
5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述至少两个并联的硅通孔的顶部通过金属延伸电极连接后，通过金属延伸电极与所述正面测试接触区相连。
6.根据权利要求3-5任一项所述的测试结构，其特征在于，各所述硅通孔簇制备在所述测试晶圆衬底正面的不同位置，各所述硅通孔簇在所述测试晶圆衬底正面的位置到所述激励硅通孔对的距离不同。
7.根据权利要求6所述的测试结构，其特征在于，各所述硅通孔簇在所述测试晶圆衬底正面的位置到所述激励硅通孔对的距离递增。
8.根据权利要求1-5任一项所述的测试结构，其特征在于，所述测试晶圆衬底与所述载片晶圆通过临时绑定胶层粘连。
9.一种硅通孔衬底噪声的测试方法，其特征在于，所述方法包括：
向第一激励硅通孔和第二激励硅通孔施加脉冲信号；其中，所述第一激励硅通孔和所述第二激励硅通孔均内嵌在测试晶圆衬底正面，且所述第一激励硅通孔和所述第二激励硅通孔通过电学连接形成激励硅通孔对；
获取制备在所述激励硅通孔周边的至少一组测试接触区的对地响应脉冲信号；
根据各所述测试接触区的对地响应信号确定硅通孔衬底噪声。
10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，每组测试接触区均包括：正面测试接触区和/或背面测试接触区；
则所述根据各所述测试接触区的对地响应信号确定硅通孔衬底噪声，包括：
在所述激励硅通孔对在通过方波脉冲时，通过测量所述背面测试接触区和/或所述正面测试接触区的对地响应信号，确定所述硅通孔衬底噪声。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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