[发明专利]一种多层纳米晶电感器及其制备方法在审
申请号: | 202210733515.7 | 申请日: | 2022-06-27 |
公开(公告)号: | CN115295302A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 刘开煌;高鹏;杨雪薇;虞成城 | 申请(专利权)人: | 深圳市信维通信股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/04 | 分类号: | H01F41/04;H01F1/153;H01F17/00;H01F27/34;H01F27/36 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 欧阳燕明 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 纳米 电感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种多层纳米晶电感器的制备方法,其特征在于,包括步骤:
将纳米晶磁性材料破碎后与衬底胶材料复合,形成磁性复合基板;
在所述磁性复合基板上涂敷磁性流延浆料,形成线圈图案区域;
对所述线圈图案区域进行电镀,形成线圈图案;
在所述线圈图案的预设打孔位置进行打孔,并贯穿所述磁性复合基板形成导电通孔,得到单层线圈线路板;
将多组所述单层线圈线路板以预设顺序压合形成多层电感器。
2.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法,其特征在于,所述将纳米晶磁性材料与衬底胶材料复合,形成磁性复合基板包括:
以500-700℃的温度条件对所述纳米晶磁性材料进行退火处理;
将经过退火处理后的所述纳米晶磁性材料进行破碎;
以120-200℃的温度条件对所述衬底胶材料进行软化处理;
将经过软化处理后的所述衬底胶材料通过挤压的方式填充至破碎后的所述纳米晶磁性材料的空隙中,形成所述磁性复合基板。
3.根据权利要求2所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法,其特征在于,所述衬底胶材料包括聚氨酯类、聚酰胺类、乙烯类、醋酸乙烯类、聚乳酸类和聚酯酰胺类中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法,其特征在于,所述将纳米晶磁性材料破碎后与衬底胶材料复合,形成磁性复合基板包括:
根据待生成的所述磁性复合基板位于所述电感器的层级次序,调整所述纳米晶磁性材料的磁导率。
5.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法,其特征在于,所述在所述磁性复合基板上涂敷磁性流延浆料,形成线圈图案区域包括:
将磁性材料与胶粘剂混合形成所述磁性流延浆料;
将所述磁性流延浆料通过丝网印刷或喷涂的方式在所述磁性复合基板上形成所述线圈图案区域。
6.根据权利要求5所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法,其特征在于,所述将磁性材料与胶粘剂混合形成磁性流延浆料包括:
将所述磁性材料、胶粘剂以及稀释剂混合形成所述磁性流延浆料。
7.根据权利要求5所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法,其特征在于,所述在所述磁性复合基板上涂敷磁性流延浆料,形成线圈图案区域还包括:
待生成的所述线圈图案的厚度低于所述磁性流延浆料的厚度。
8.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法,其特征在于,所述在所述线圈图案的预设打孔位置进行打孔,并孔贯所述磁性复合基板形成导电通孔包括:
位于所述电感器中不同层级的所述磁性复合基板上的所述线圈图案的预设打孔位置不同。
9.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法,其特征在于,所述将多组所述单层线圈线路板以预设顺序压合形成多层电感器包括:
将导电浆料填充至所述单层线圈线路板的导电通孔中;
将另一所述单层线圈线路板叠加在完成导电浆料填充的所述单层线圈线路板上;
交替进行所述导电浆料填充以及所述单层线圈线路板叠加的工序,直至叠加至预设的层数,形成所述多层电感器。
10.一种多层纳米晶电感器,其特征在于,由包括权利要求1-9中任一项所述的一种多层纳米晶电感器的制备方法制备而成。
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