[发明专利]一种用于控制翘曲的扇出型晶圆级封装制造工艺及芯片

说明书

本发明公开了一种用于控制翘曲的扇出型晶圆级封装制造工艺及芯片，涉及半导体封装技术领域，其中制造工艺，包括以下步骤：S1：准备载板，将临时键合膜贴覆于所述载板上；S2：将芯片按照排布需求贴覆于所述临时键合膜上，并将所述芯片封装于塑封料中；S3：去除所述临时键合膜及所述载板，并在所述塑封料上涂覆第一介电层，开窗露出所述芯片的焊盘，并进行翘曲控制矫正；本发明旨在克服扇出封装现有技术中翘曲大的不足，提供一种简单易行控制翘曲的扇出型晶圆级封装及工艺，降低工艺难度和生产成本，有效解决塑封材料在高温制程中翘曲增大的问题，有益于实现产品的规模量产化。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，更具体的说是涉及一种用于控制翘曲的扇出型晶圆级封装制造工艺及芯片。

背景技术

目前，扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式封装，也是I/O数较多、集成灵活性好的主要先进封装之一。

但是，现有技术中扇出封装制备过程中容易出现翘曲的现象，而目前解决翘曲的方法主要有采用临时键合设备，将圆片临时键合在玻璃或其他材料上进行重布线工艺，其需要昂贵的设备和材料成本；又或采用金属框架单元，将金属框架和芯片一起塑封于塑封料中，其工艺复杂，不适合规模量产。

因此，如何提供一种能够解决上述问题的扇出型晶圆级封装制造工艺是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种用于控制翘曲的扇出型晶圆级封装制造工艺及芯片，旨在克服扇出封装现有技术中翘曲大的不足，提供一种简单易行控制翘曲的扇出型晶圆级封装及工艺，降低工艺难度和生产成本，有效解决塑封材料在高温制程中翘曲增大的问题，有益于实现产品的规模量产化。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种用于控制翘曲的扇出型晶圆级封装制造工艺，包括以下步骤：

S1：准备载板，将临时键合膜贴覆于所述载板上；

S2：将芯片按照排布需求贴覆于所述临时键合膜上，并将所述芯片封装于塑封料中；

S3：去除所述临时键合膜及所述载板，并在所述塑封料上涂覆第一介电层，并开窗露出所述芯片的焊盘，接着进行翘曲控制矫正；

S4：将所述焊盘上设置再布线金属层，在所述再布线金属层上涂覆第二介电层，并开窗露出再布线焊盘，再次进行翘曲控制矫正；

S5：对所述再布线焊盘利用物理气相沉积、光学掩膜、电镀、刻蚀方法得到球下金属层，并在所述球下金属层上放置锡球；

S6：对所述S5重构得到的原片进行切割，形成单颗的扇出封装芯片结构。

优选的，所述S3中，进行翘曲控制矫正的方法利用等热处理工艺实现。

优选的，所述S4中，再次进行翘曲控制矫正的方法利用等热处理工艺实现。

优选的，所述S3中，利用加热方法去除所述临时键合膜。

进一步，本发明还提供一种利用上述任一项所述的用于控制翘曲的扇出型晶圆级封装制造工艺制备的芯片，包括依次设置的所述载板、所述临时键合膜、所述芯片，并将所述芯片封装于所述塑封料中，并去除所述临时键合膜和所述载板；

沿所述塑封料的一侧由下依次设置有所述第一介电层、所述再布线金属层、所述第二介电层、所述球下金属层及所述锡球。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开提供了一种用于控制翘曲的扇出型晶圆级封装制造工艺及芯片，主要包括以下有益效果：

(1)本发明在制备扇出型晶圆级封装的过程中采用等热处理工艺降低翘曲，有利于提高封装良率及产品质量。