[发明专利]一种检测突变型BRAF基因的电化学发光传感器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种检测突变型BRAF基因的电化学发光传感器，其特征在于，所述电化学发光传感器由表面修饰碳量子点和DNA1探针的玻碳电极，含DNA2探针的金纳米枝晶组成；所述DNA1探针为修饰有氨基的发夹型DNA1，所述DNA2探针为修饰有羧基，并进一步修饰有金纳米枝晶的发夹型DNA2。

2.根据权利要求1所述的电化学发光传感器，其特征在于，所述DNA1探针为：NH₂-GATTTTGGTCTAGCTACAGAGAAATCTCGAAGCTAGACCAAAATCTCGAGATTTCTCTGTAGCTAGACC；所述DNA2探针为：HOOC-CACAGAAAATCTCGAGATTTTGGTCTAGCTTCGAGATTTCTCTGTAGCTAGACCAAAATC。

3.根据权利要求1所述的电化学发光传感器，其特征在于，所述碳量子点由2-氨基对苯二甲酸与四羟甲基硫酸磷混合反应形成。

4.一种权利要求1所述的电化学发光传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将氨基化金纳米枝晶修饰到发夹型DNA2探针上，得到修饰有金纳米枝晶的发夹型DNA2探针；

(2)制备表面富含氨基和羧基的碳量子点；

(3)将玻碳电极打磨与清洗；

(4)将碳量子点修饰到玻碳电极表面；

(5)将发夹型DNA1探针修饰到步骤(4)得到的玻碳电极上得到修饰碳量子点和DNA1探针的玻碳电极；与步骤(1)得到的修饰有金纳米枝晶的发夹型DNA2探针组成检测突变型BRAF基因的电化学发光传感器。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中将1～4μM的发夹型DNA2探针溶液与EDC溶液和NHS溶液混合，室温孵育10～40分钟，再加入氨基化的金纳米枝晶溶液在低温条件继续孵育5～10小时，发夹型DNA2探针溶液与氨基化的金纳米枝晶溶液孵育后，离心洗涤，沉淀分散PBS缓冲溶液中得到修饰有金纳米枝晶的发夹型DNA2探针溶液。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中将2-氨基对苯二甲酸溶于超纯水中并与四羟甲基硫酸磷混合形成反应前体溶液；反应前体溶液经过高温加热得到表面富含氨基和羧基的碳量子点溶液一；碳量子点溶液一通过离心、过滤、透析纯化，冷冻干燥制备出固体，再分散到缓冲溶液中得到碳量子点溶液二。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中将清洗干净的玻碳电极浸在碳量子点溶液中进行嫁接；所述嫁接过程采用循环伏安法，扫描范围为0.2-1.6V，扫描速率为0.1V/s，扫描次数为1～6次，扫描后冲洗干燥即碳量子点修饰到了玻碳电极上。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中将步骤(4)中修饰有碳量子点的玻碳电极浸在EDC和NHS混合溶液中孵育后，再浸在浓度为1～4μM的发夹型DNA1溶液中，低温条件下孵育5～9小时，孵育后用BSA封闭未结合位点，冲洗后与步骤(1)得到的修饰有金纳米枝晶的发夹型DNA2探针组成检测突变型BRAF基因的电化学发光传感器。

9.一种权利要求1所述的检测突变型BRAF基因的电化学发光传感器在突变型BRAF基因定量检测中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，所述定量检测的过程优选为：表面修饰碳量子点和DNA1探针的玻碳电极的电化学发光强度值，记为ECL0；表面修饰碳量子点和DNA1探针的玻碳电极与目标物溶液和修饰有金纳米枝晶的发夹型DNA2探针溶液共同孵育后的电化学发光强度值，记为ECL1；电化学发光强度差值ΔECL＝ECL1-ECL0，ΔECL与目标物浓度成线性关系，实现对目标物的定量检测。