[发明专利]一种工艺腔室

说明书

本发明公开了一种工艺腔室，涉及半导体技术领域，包括：腔室本体，所述腔室本体内设置有可升降的基座、多个升针和升针托架；所述基座上沿竖直方向开设有贯穿所述基座的多个升针孔，多个所述升针设置于所述升针托架上且一一对应的穿设于多个所述升针孔内，所述基座的下表面设置有沿竖直方向延伸的导向件，所述升针托架与所述导向件滑动连接且止抵于所述导向件的下端，所述升针托架用于在所述基座升降时带动多个所述升针升降；解决现有技术中升针的顶部端面的面积较大导致升针对应的晶圆投影区域内的工艺均匀性变差的问题，及带有倒锥体状的限位结构的升针极易卡在基座上的升针孔内，不易拔出的问题。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，更具体地，涉及一种工艺腔室。

背景技术

在半导体工艺设备中，等离子体增强型化学气相沉积设备(Plasma EnhanceChemical Vapor Deposition，PECVD)用于介质薄膜沉积工艺，用来在晶圆(wafer)表面生长以Si、O、N为主要成分的介质薄膜(也用于含有B、P的掺杂薄膜沉积工艺)。由于PECVD工艺的特殊性，一般其升针材质均为陶瓷材质。由于基座作为PECVD工艺的一个极板，需要射频导通，以铝合金等导体材质为主(也存在AlN材质，但内部也存在金属极板)；因升针部分处于极板内，且为陶瓷绝缘材质，因此在工艺时，升针的存在会使电场在升针区域出现畸变。根据电容原理，当电容介质发生变化时，电场线方向、电场强度会根据介质不同而变化，如电场线弯曲，电场强度减小等。

现有的一种工艺腔室中，其升针与基座的配合如图1所示，为了保证基座1升起时升针2能够随基座1一同移动，升针2的顶部设置倒锥体状的限位结构并与基座1上的倒锥孔形成限位配合，使得升针2的顶部端面的面积较大，由此导致升针2对应的晶圆投影区域内的工艺均匀性变差，进而影响晶圆整体的工艺均匀性。另外，对于如图1所示的现有技术中半导体工艺设备中的升针2与基座1的配合，由于基座1存在热胀冷缩现象，在维护时，基座1处于冷态，且限位结构的外周与基座1上的倒锥孔的孔壁接触，其带有倒锥体状的限位结构的升针2极易卡在基座1上的升针孔内，不易拔出。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中存在的不足，提供一种工艺腔室，解决现有技术中升针的顶部端面的面积较大导致升针对应的晶圆投影区域内的工艺均匀性变差的问题，及带有倒锥体状的限位结构的升针极易卡在基座上的升针孔内，不易拔出的问题。

为了实现上述目的，本发明提供一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，包括：

腔室本体，所述腔室本体内设置有可升降的基座、多个升针和升针托架；

所述基座上沿竖直方向开设有贯穿所述基座的多个升针孔，多个所述升针设置于所述升针托架上且一一对应的穿设于多个所述升针孔内，所述基座的下表面设置有沿竖直方向延伸的导向件，所述升针托架与所述导向件滑动连接且止抵于所述导向件的下端，所述升针托架用于在所述基座升降时带动多个所述升针升降，其中，

所述基座位于传输位时，所述升针托架与所述腔室本体的底壁接触，多个所述升针从所述基座上表面伸出用于支撑晶圆；所述基座位于工艺位时所述升针托架与所述导向件的下端限位配合，多个所述升针的顶端不高于所述基座的上表面。

可选地，所述升针托架包括支撑板和支撑结构，所述支撑板与所述导向件滑动连接，多个所述升针设置于所述支撑板上，所述支撑板背离所述基座的一侧设置有支撑结构，所述基座位于所述传输位时，所述支撑结构与所述腔室本体的底壁接触。

可选地，所述支撑结构包括多个支撑柱，多个所述支撑柱沿所述支撑板的周向间隔设置，所述基座位于所述传输位时，所述多个所述支撑柱与所述腔室本体的底壁接触。

可选地，所述导向件的数量为多个，多个所述导向件沿所述基座的周向间隔设置，所述导向件的背离所述基座的一端具有向外凸出的限位部，所述基座位于所述工艺位时所述支撑板止抵于所述限位部。