[发明专利]阵列基板及显示面板有效
申请号: | 202210740034.9 | 申请日: | 2022-06-28 |
公开(公告)号: | CN115132749B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 金玉;徐磊;顾维杰;谢水林;李磊;周至奕 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/131;H10K50/816 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 孟凡林;黄健 |
地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括阵列层,所述阵列层上设置有第一导电线和第一电极,所述第一电极通过所述第一导电线与所述阵列层电性连接;
所述第一电极的边缘设置有保护件,所述保护件在所述阵列层上的正投影与所述第一导电线在所述阵列层上的正投影至少部分重合;
所述第一导电线靠近所述第一电极的一端具有导电部,所述导电部位于所述第一电极和所述阵列层之间,所述导电部在所述阵列层上的正投影,位于所述第一电极在所述阵列层上的正投影内;
所述阵列基板包括透光区、显示区以及位于所述透光区和所述显示区之间的过渡区,位于所述过渡区的所述阵列层包括多个像素驱动电路;
位于所述过渡区内的一个所述像素驱动电路通过所述第一导电线与位于所述透光区内的多个所述第一电极电性连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电线、所述第一电极依次设置于所述阵列层上,所述保护件覆盖在所述第一导电线的表面上。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述保护件相对于所述第一电极的边缘的延伸长度的范围为1μm-4μm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述保护件的边缘为圆弧形。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述保护件与所述第一电极一体成型。
6.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极在所述阵列层上的正投影与所述第一导电线在所述阵列层上的正投影部分重合。
7.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,一条所述第一导电线与多个所述第一电极电连接。
8.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极包括依次叠层设置的第一透明电极层、金属电极层和第二透明电极层。
9.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电线为透明导电线。
10.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电线的形状为曲线。
11.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电部在所述阵列层上的正投影为圆形或条形,所述第一电极在所述阵列层上的正投影为圆形。
12.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极在所述阵列层上的正投影的边缘与所述导电部在所述阵列层上的正投影的边缘之间具有间距,所述间距的范围为1μm-5μm。
13.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置在所述阵列层及部分所述第一电极上的像素限定层,所述像素限定层具有像素开口,所述像素开口靠近所述阵列层的一端在所述阵列层上的正投影位于所述第一电极在所述阵列层上的正投影的边缘和所述导电部在所述阵列层上的正投影的边缘之间。
14.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,至少两个所述第一电极组成第一电极单元,所述第一电极单元内的多个所述第一电极通过所述第一导电线电性连接,且所述第一电极单元通过所述第一导电线与所述阵列层电性连接。
15.一种显示面板,其特征在于,包括上述权利要求1-14任一所述的阵列基板。
16.根据权利要求15所述的显示面板,其特征在于,包括多个设置于所述阵列基板的阵列层上的发光结构,所述阵列基板的同一条第一导电线连接至少两个发光颜色相同的所述发光结构。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,所述阵列层中设置有位于所述阵列基板的透光区和过渡区的透光的第二导电线,所述第二导电线与所述第一导电线电连接,位于所述过渡区内的所述阵列基板的一个像素驱动电路通过所述第一导电线和所述第二导电线与位于所述透光区内的多个所述发光结构电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的