[发明专利]闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有第一、二存储单元结构，所述第一、二存储单元结构均由自下而上依次堆叠的第一氧化层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层和硬掩膜层组成，所述第一、二存储单元结构中，两相近一侧的所述控制栅多晶硅层、所述硬掩膜层的侧壁上，均依次形成有第一、二层间介质层，两相近一侧的所述第二层间介质层、所述浮栅多晶硅层上均形成有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上形成有字线多晶硅；

步骤二、研磨所述字线多晶硅至所述控制栅多晶硅的上方；

步骤三、刻蚀去除所述第一、二存储单元结构的两侧部分结构；

步骤四、刻蚀去除剩余的所述硬掩膜层，使得其下方的所述字线多晶硅、所述控制栅多晶硅层裸露；

步骤五、在裸露的所述字线多晶硅、所述控制栅多晶硅上均形成金属硅化物。

2.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。

3.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述极间介质层由自下而上的第二氧化层、氮化层、第三氧化层组成。

4.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中所述硬掩膜层的材料为二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中所述第一层间介质层的材料为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中所述第二层间介质层的材料为氮化硅。

7.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤二中所述研磨的方法为化学机械平坦化研磨。

8.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤四中的所述刻蚀的方法为湿法刻蚀。

9.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤五中的所述金属硅化物为Si、Ni、Pt合金。

10.一种闪存器件，其特征在于：其由权利要求1-9任意一项所述的NORD的闪存制造方法制造。