[发明专利]显示基板及显示装置在审
申请号: | 202210741660.X | 申请日: | 2022-06-27 |
公开(公告)号: | CN115117132A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 胡春静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板及显示装置,该显示基板包括:衬底基板,所述衬底基板包括显示区以及位于所述显示区外侧的虚拟像素区;像素界定层,设置于所述显示区和所述虚拟像素区内,所述像素界定层限定出多个亚像素区域;所述像素界定层包括沿第一方向延伸的第一像素界定层图形和沿第二方向延伸的第二像素界定层图形,所述第一像素界定层图形用于间隔不同颜色的亚像素,所述第二像素界定层图形用于间隔相同颜色的亚像素;其中,所述虚拟像素区内的一个所述亚像素区域的开口的面积小于所述显示区内的一个所述亚像素区域的开口的面积。通过本发明的像素界定层,在溶液成膜工艺中可以得到均匀的膜层。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)相对于LCD(液晶显示器)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。OLED的成膜方式主要有蒸镀成膜方式和溶液成膜方式。蒸镀成膜方式在小尺寸显示方面应用较为成熟,目前已经应用于量产中。而溶液成膜方式主要包括喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂、丝网印刷等方式,其中喷墨打印技术由于其材料利用率较高、可以实现大尺寸化,被认为是大尺寸OLED实现量产的重要方式。
溶液成膜方式有一个必不可少的步骤是:需要通过后续的干燥工艺去除多余的溶剂,从而得到干燥的薄膜。而这一去除溶剂的工艺过程决定了最后成膜的形貌。对于OLED器件而言,干燥薄膜的形貌和成膜均一性对器件的寿命和显示效果有较大影响。
溶液成膜方式采用像素界定层(PDL)容纳流动性的液态墨水。在通过干燥工艺去除多余的溶剂的过程中,由于显示区的边缘空气流动性比较大,会出现先干燥的情况,又因为同色亚像素间的像素界定层高度较低,所以就会造成像素界定层内的液态墨水向先干燥的区域流动的现象,从而造成成膜不均匀的现象。
发明内容
本发明实施例提供一种显示基板及显示装置,用于解决现有的显示基板中的通过溶液成膜方式形成的膜层不均匀的问题。
为了解决上述技术问题,本发明是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种显示基板,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括显示区以及位于所述显示区外侧的虚拟像素区;
像素界定层,设置于所述显示区和所述虚拟像素区内,所述像素界定层限定出多个亚像素区域;所述像素界定层包括沿第一方向延伸的第一像素界定层图形和沿第二方向延伸的第二像素界定层图形,所述第一像素界定层图形用于间隔不同颜色的亚像素,所述第二像素界定层图形用于间隔相同颜色的亚像素;
其中,所述虚拟像素区内的一个所述亚像素区域的开口的面积小于所述显示区内的一个所述亚像素区域的开口的面积。
可选的,所述虚拟像素区内的一个所述亚像素区域的墨水盛放量大于或等于所述显示区内的一个所述亚像素区域的墨水盛放量。
可选的,所述虚拟像素区内的所述第一像素界定层图形的沿所述第二方向的横截面呈倒梯形;
所述显示区内的所述第一像素界定层图形的沿所述第二方向的横截面呈正梯形。
可选的,所述虚拟像素区内的所述第二像素界定层图形的沿所述第一方向的横截面呈正梯形。
可选的,所述虚拟像素区内的所述第二像素界定层图形的高度低于所述显示区内的所述第二像素界定层图形的高度;
和/或
所述虚拟像素区内的所述第一像素界定层图形的高度高于所述显示区内的所述第一像素界定层图形的高度。
可选的,所述显示基板还包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210741660.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的